The Impact of Total Ionizing Dose on Unhardened SRAM Cell Margins

Total Ionizing Dose Effects on a Delay-Based Physical Unclonable Function Implemented in FPGAs

“…TID effects on SRAM-based FPGAs, including non-radiation hardened, have been widely studied in recent years [6][7][8]. TID causes a degradation of the transistors as ionizing radiation accumulates on the component.…”

Metodologia de testes para qualificação de sistemas eletrônicos expostos à radiação ionizante

“…Fonte: (GERARDIN et al, 2013) Fonte: (YAO et al, 2008) A figura 40 mostra o aumento da corrente de alimentação de uma memória SRAM ao ser irradiada com Co 60 até uma dose de 1 Mrad(Si).…”

“…Fonte: (YAO et al, 2008) A figura 41 e 42 mostra a variação das tensões de acionamento dos transistores de acesso ao bit que são responsáveis pela escrita e leitura da célula. Essa variação indica uma diminuição na margem de escrita e apresenta uma possível falha no dispositivo devido a TID (YAO et al, 2008).…”

“…Essa variação indica uma diminuição na margem de escrita e apresenta uma possível falha no dispositivo devido a TID (YAO et al, 2008).…”

“…Fonte: (YAO et al, 2008) A figura 43 mostra a margem de ruído estático para leitura antes e após a memória ser irradiada. Embora a figura se altere, o pior caso de leitura, ou seja, a "caixa"que é encaixada em cada "olho"da figura, que corresponde a margem de ruído estático, se mantém praticamente inalterada, indicando que o dispositivo pode suportar grandes níveis de dose acumulada sem comprometer sua performance de leitura (YAO et al, 2008).…”