The impact of intrinsic conductivity on the mechanisms of tensoresistance of uniaxially deformed n-Ge single crystals

Abstract

Дослiджено тензоопiр для одновiсно деформованих уздовж кристалографiчного напрямку [100] монокристалiв n-Ge в д власної провiдностi. Особливостi тензоопору n-Ge та нелiнiйне зростання концентрацiї електронiв для цих монокристалiв у дiапазонi одновiсних тискiв вiд 0.8 до 2.4 ГПа пояснено двозонним механiзмом власної провiдностi, коли зона провiдностi германiю за таких тискiв стає (L1 − ∆1)-типу. Рiзке зменшення питомого опору n-Ge за одновiсних тискiв P > 2.4 ГПа пов'язане зi збiльшенням величини баричного коефiцiєнта змiни ширини забороненої зони внаслiдок (L1 − ∆1)iнверсiї типу абсолютного мiнiмуму в германiї. Ключовi слова: тензоопiр, одновiсний тиск, монокристали германiю, власна провiднiсть, (L1 − ∆1)-iнверсiя.