2000
DOI: 10.1080/08957950008200987
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

The formation of a diamond layer on a carbide substrate during diamond interaction with Si, WC and Co

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
1

Citation Types

0
0
0
2

Year Published

2009
2009
2019
2019

Publication Types

Select...
2
1
1

Relationship

0
4

Authors

Journals

citations
Cited by 4 publications
(2 citation statements)
references
References 1 publication
0
0
0
2
Order By: Relevance
“…Dados já publicados (6,7) apontaram para a possibilidade de formar um compósito pela impregnação da camada diamantada por uma frente liquefeita de cobalto. Tal processo foi conduzido à pressão de 5 GPa, e à temperatura relativamente baixa de 1250° C, levando à fixação da camada diamantada no substrato.…”
Section: Introductionunclassified
“…Dados já publicados (6,7) apontaram para a possibilidade de formar um compósito pela impregnação da camada diamantada por uma frente liquefeita de cobalto. Tal processo foi conduzido à pressão de 5 GPa, e à temperatura relativamente baixa de 1250° C, levando à fixação da camada diamantada no substrato.…”
Section: Introductionunclassified
“…Новизна. У даній роботі, спираючись на існуючі технології спікання [9] алмазних композитів, запропонована методика виготовлення надтвердої кераміки на базі С АЛМ. , в якій ріжучий шар не містить шкідливого кобальту, а її фізико-механічні характеристики значно не поступаються, а в деяких параметрах і перевищують Со-вмісні комерційні аналоги.…”
unclassified