The Electric Behavior of a Capacity-Transfer-Type Pulsed Gas Laser

Abstract

Cathodoluminescence spectra have been obtained from undoped and n-type gallium phosphide crystals at temperatures between 80 OK and 300 OK. T h e gallium phosphide was grown epitaxially by vapour transport on GaAs substrates, the n-type specimens being doped with either sulphur or tellurium. The crystals showed only weak edge luminescence, and this is interpreted as the radiative recombination of free excitons and free holes at neutral donor centres. The free-exciton recombination bands show a weak no-phonon component and other bands that give evidence of the expected phonon co-operation for indirect band to band transitions. The phonon energies deduced from these bands are in good agreement with those observed in the optical absorption edge and lattice vibration absorption spectra. T h e luminescence attributed to free-hole recombination at donor centres has enabled values for En, the donor electron binding energy, to be obtained for the two impurities involved (sulphur, 105 1 5 mev; tellurium, 90 i 5 mev). The temperature dependence of the luminescence features is shown to be consistent with the proposed interpretation.

Οι Χρονικα Μεταβαλλομενες Αντιστασεις Και Αυτεπαγωγες Των Ηλεκτρικων Εκκενωσεωντων Παλμικων Lasers Aεριων Και Η Επιδραση Τους Στην Οπτικη Ενεργεια Της Ακτινοβολιας Laser

“…Το γεγονός αυτό επιβεβαιώνεται από τις γραφικές παραστάσεις των τάσεων και των εντάσεων των ηλεκτρικών ρευμάτων που φαίνονται στο Σχ. 2.5 που προέρχεται από την αναφορά[42].Οι σταθερές απόσβεσης a u α^ και οι συχνότητες ταλάντωσης a> u ω 2 δίνονται από τις παρακάτω σχέσεις : 2.32)-(2.37) υπολογίζονται με ακρίβεια, οι σταθερές (μέσες) τιμές των αντιστάσεων και των αυτεπαγωγών των ηλεκτρικών εκκενώσεων που λαμβάνουν χώρα στο σύστημα ανάφλεξης και στον σωλήνα του laser[43]. φίλτρο 66 απαραίτητο για την προστασία του κυκλώματος από ηλεκτρικά ρεύματα μεγάλων εντάσεων, ενώ Rg και L s είναι η διάχυτη αντίσταση και αυτεπαγωγή της ηλεκτρικής εκκένωσης που λαμβάνει χώρα στον σωλήνα του laser.…”

“…τάσης ρευμάτων που διαρρέουν τις ηλεκτρικές εκκενώσεις που λαμβάνουν χώρα στο σύστημα του laser με τις εξισώσεις (2.21)-(2.23) και θεωρώντας ότι, οι αντιστάσεις και οι αυτεπαγωγές των δύο ηλεκτρικών εκκενώσεων δεν μεταβάλλονται με τον χρόνο, υπολογίζονται οι σταθερές τιμές των R,, L,, R^ και L 2[40,41]. Για την αναφορά[40] οι τιμές αυτές είναι R^.SOhm, L^OnH, R2=0.3Ohm και L 2 =13nH.Στην κατηγορία αυτή μνημονεύονται οι εργασίες[42][43][44][45]. Το ισοδύναμο ηλεκτρικό κύκλωμα ενός παλμικού laser που οδηγείται από κύκλωμα μεταφοράς φορτίου (C-to-C) φαίνεται στο Σχ.2.4.…”

“…Από τις τιμές αυτές μέσω των σχέσεων (2.27)-(2.28) υπολογίζονται η αντίσταση R και η αυτεπαγωγή L της ηλεκτρικής εκκένωσης στο σύστημα ανάφλεξης του laser. Για την αναφορά[42] οι τιμές αυτές είναι <» 2 =3.26xl0" 3 ns 2 , λ=5.84χ10" 3 η8"\ R=0.62Ohm και L=53.1nHΜετά από την δημιουργία της εκκένωσης στο σωλήνα του laser, η ένταση του ρεύματος που διαρρέει κάθε κλάδο του κυκλώματος δίνεται από τη σχέση:LiLnC-i •LjjLoC'O L••^LrΛ^n Ut Z^i/nC••« Oo 0αυτεπαγωγή του συστήματος ανάφλεξης μετά από την δημιουργία της ηλεκτρικής εκκένωσης στο σωλήνα του laser είναι ίδιες με την αντίσταση και την αυτεπαγωγή πριν ενεργοποιηθεί ο σωλήνας του laser, υπολογίζονται η αντίσταση iL, και η αυτεπαγωγή L 2 της ηλεκτρικής εκκένωσης που λαμβάνει χώρα στον σωλήνα του laser[42].Οι σταθερές τιμές των αντιστάσεων και των αυτεπαγωγών των ηλεκτρικών εκκενώσεων μπορούν να υπολογιστούν με απόλυτη ακρίβεια ως εξής[43].Η διαφορική εξίσωση των τάσεων στα άκρα των δύο πυκνωτών, του συστήματος ανάφλεξης και του σωλήνα του laser είναι η εξής :a* \ h α* i,c, i,c 2 L& i,vÄ 2 +( _A_ + _3_ + _?L_)*: + _L_K=O Υ{ή =Ae""^COSfa,*+ΦΛ +Be ""«Oosfaaf+<W ( 23ì ) A> C B> C K και Ψ Γ δίνονται από τις σχέσεις (2.17)-(2.20). Αξίζει να σημειωθεί ότι, οι σχέσεις (2.31)-(2.37) προέκυψαν χωρίς προσεγγίσεις και αποτελούν την αναλυτική λύση της διαφορικής εξίσωσης (2.30).…”