The effects of indium segregation on exciton binding energy and oscillator strength in GaInAs/GaAs quantum wells

Wu, Shaojie; Zhi, Huang; Liu, Yuan; Huang, Qiufeng; Guo, Wang; Cao, Yang

doi:10.1016/j.spmi.2009.06.001

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“…practical applications [17][18][19][20][21]. As the rapid advances in modern growth techniques and researches for InGaAs/GaAs QWs [22,23] create the possibility to fabricate such heterostructures with well-controlled dimensions and compositions, the asymmetrical InGaAs/GaAs NSQWs become interesting and worth studying systems.…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Intense laser field effect on the interband absorption in differently shaped near-surface quantum wells

Eseanu

2011

Physics Letters A

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Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Intense laser field effect on the interband absorption in differently shaped near-surface quantum wells

Eseanu

2011

Physics Letters A

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“…Although using the thick barrier [7], low growth temperature and high growth rate can degrade the segregation effect to some extent, it was observed that substrate tilting angle, growth interruption can also affect the segregation phenomenon [20,[23][24][25]. Similarly, surface segregation of third-column atoms in group III-V arsenide compounds, binary, ternary alloys and their heterostructures results in nonabrupt interfaces [3,15,[26][27][28][29][30]. However, far from complexity of segregation phenomenon, it affects the mobility of the electron gas confined at the inverted interface due to the alloy scattering mechanism.…”

Section: Discussionmentioning

confidence: 99%

Interfacial Al segregation limiting electron mobility at the inverted interface of AlGaAs/GaAs quantum well

Sadeghzadeh

Azizi

2012

Semicond. Sci. Technol.

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Low-temperature mobility spectrum of two-dimensional electron gas (2DEG) at the inverted interface of AlGaAs/GaAs quantum well has been evaluated theoretically taking into account nonabrupt composition profile due to segregation of Al atoms into the well. In this approach, the Al content profile at the inverted interface has been considered as exponential decay function, and transport mobility components were calculated in the Lindhard's framework and flat interface approximation. It was found that alloy scattering due to segregated Al atoms can be significant, and even limits electron mobility at high 2DEG densities. The segregation decay length is evaluated from comparing experimental mobility spectrum with theory.

show abstract

“…Schowalter et al (2006) al considerar un modelo Kane de ocho bandas, obtuvo el comportamiento de la posición energética de las intensidades de pico de fotoluminiscencia (PL) en función del coeficiente de segregación R, ver ; la concentración de indio y el espesor del QW. Wu et al (2009aWu et al ( , 2009b resolvieron analíticamente la ecuación de Schrödinger tomando en cuenta los cambios de forma de los QWs InxGa1-xAs/GaAs debido a la segregación de indio. De la Cruz ( 2004) exploró el cálculo de la energía de transición entre el electrón confinado y los estados del hueco como una función del ancho del pozo, teniendo en cuenta los efectos de la segregación de indio dentro de QWs individuales de InGaAs/GaAs.…”

Section: Introductionunclassified

Estudio de la influencia de la segregación de indio y del campo eléctrico interno en las propiedades ópticas de heteroestructuras de pozos cuánticos III-V

Cardona-Bedoya

Sanchez

Mora

2021

reveia

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La segregación superficial de átomos en las aleaciones de semiconductores III-V produce interfaces abruptas y modifica los perfiles del potencial, alternando los estados electrónicos en el pozo cuántico y la energía de emisión en el espectro de fotoluminiscencia. En este trabajo se resuelve mediante serie de potencias la ecuación de Schrödinger considerando un potencial simétrico tipo Cauchy, el cual es suave y decreciente al infinito. Se propone dicho potencial debido a los cambios en el perfil del potencial del pozo cuántico por la segregación de átomos durante el proceso de crecimiento. Se determinó la energía del estado base en función de los parámetros que caracterizan este potencial. Este modelo fue aplicado al caso particular de la segregación de indio en el sistema InGaAs/GaAs. La energía de transición del estado base se calcula a partir de las diferencias de energía entre el electrón y el hueco en función del ancho del pozo. Dichos cálculos están de acuerdo con los picos de energía de fotoluminiscencia reportados. Adicionalmente, la influencia del campo eléctrico debido al efecto piezoeléctrico en la emisión de fotoluminiscencia es estudiada. Para esto se consideró una función de onda variacional de electrones y se calculó la transición de energía del estado base en la región activa de la heteroestructura a partir de las diferencias de energía de electrones y huecos en función del ancho del pozo y del campo eléctrico. Para pozos cuánticos de InGaAs/GaAs la energía base es ajustada dentro de este modelo coincidiendo nuestros cálculos teóricos con la parte experimental.

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The effects of indium segregation on exciton binding energy and oscillator strength in GaInAs/GaAs quantum wells

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Intense laser field effect on the interband absorption in differently shaped near-surface quantum wells

Intense laser field effect on the interband absorption in differently shaped near-surface quantum wells

Interfacial Al segregation limiting electron mobility at the inverted interface of AlGaAs/GaAs quantum well

Estudio de la influencia de la segregación de indio y del campo eléctrico interno en las propiedades ópticas de heteroestructuras de pozos cuánticos III-V

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