The effect of Zn vacancies and Ga dopants on the electronic structure of ZnO:Ab initiosimulations

Effect of Ga-modified layer on flexible hydrogen sensor using ZnO nanorods decorated by Pd catalysts

“…Among the various dopants, Ga is the most promising due to the fact that its ionic radius and covalent radius (0.62 and 1.26Å, respectively) are similar to those of Zn (0.74 and 1.34Å, respectively). Ga 3+ can be substituted for Zn 2+ with limited lattice distortion, which prevents stress in ZnO materials [9,10]. While considering flexible device applications, it is of paramount importance to evaluate the permeation barriers, which have a direct effect on the device's functionality, and consequently on its lifetime [6].…”

ОБРАЗОВАНИЕ ЗАРЯЖЕННЫХ СОСТОЯНИЙ НА ПОВЕРХНОСТИ ZnO ПРИ НИЗКОЭНЕРГЕТИЧЕСКОМ ОБЛУЧЕНИИ ЭЛЕКТРОНАМИ

“…(1) Также на кривой 1 наблюдается слабое формирование нескольких пиков при энергиях возбуждения 2, 4, 6, 8, 12 и 14 эВ. Основные максимумы в спектрах обозначены буквами А, Б, В, Г и Д. Максимум А при энергии 2.5 эВ в спектре ПТ показывает наличие дорадиационных дефектов (вакансий кислорода в поверхностных слоях ZnO) [17][18][19]. Достаточно большое количество работ посвящено исследованию пика А в образцах нелегированного ZnO, который располагается в области спектра, связанной с собственными дефектами, и имеет максимум около 2.0−2.5 эВ.…”