The effect of X-ray irradiation on ultrasound attenuation and velocity in LiF single crystals

Abstract

jä¹ã °Ó©ä ä˺ºä ÓÈ È°ºË l Ò°°ã˺mÈÓ© ÏÈmÒ°Òäº°Ò Ò°ãº}ÈÒºÓ Óºº ¹ºãºËÓÒ« Ò°}º¯º°Ò ã ¯ÈÏm}È m äºÓº}¯Ò°ÈããȲ /L)°º°ÈºÓº® ËÁº¯äÈ ÒË® ε ¹¯Ò z m ÒÓ˯mÈãË ºÏ ºãËÓÒ« ܯËÓËÓ °ÈÓºmãË Óº º m °ãºmÒ«² ºãËÓÒ« }¯Ò°Èããºm¯ËÓËÓºm°}ÒäÒ ãÈäÒ°Ë°mËÓÓº mËãÒ ÒmÈË°« }ºÓËÓ¯ÈÒ«¯ÈÒÈÒºÓÓ©² ËÓ¯ºm ÏÈ}¯Ë¹ã«Ò² ãË}º¹ºmÒÎÓ©Ë Ò°ãº}ÈÒÒ {¯ËÏã ÈË º¯ÈÓÒËÓÒ« Ò°ãÈ }ÈÏÈÓÓ©² Ò°ãº}ÈÒ® ÏȲÈÓÒË ã ¯È Ïm}ȯËÏ}º°ÓÒÎÈË°« È°}º¯º° ˺¯È°¹¯º°¯ÈÓËÓÒ« m º¯ÈÏË mËãÒÒmÈË°« {¹ãÒm¯ËÓËÓLm° }ºº º¹¯ºäLÓËÓÓ« ÓÈ ÏÈ°ÈÓÓ« L mÒ}L° ã ¯ÈÏm} äºÓº }¯Ò°ÈãȲ /L) |lËËÓ}º |ËËÓ}º &lrº®}º kvÒmÒÓËÓ}º ,ä¹ã °ÓÒä ä˺ºä ÓÈ È°ºL l º°ãLÎËÓº mÏȼäºÏÈãËÎÓL° Ò°ãº}ÈL® Óºº ¹ºãÒÓÈÓÓ« L mÒ}º°L ã ¯ÈÏm} äºÓº}¯Ò°ÈãȲ /L) LÏ ÏÈãÒ}ºmº ËÁº¯ äÈL¼ ε ÏÈ z m LÓ˯mÈãL ºÏ º¹¯ºäLÓËÓÓ« ܯËÓËÓ {°ÈÓºm ãËÓº º ÏÈ äºm º¹¯ºäLÓËÓÓ« }¯Ò°ÈãLm¯ËÓËÓLm° }ÒäÒ ¹¯ºäËÓ«äÒ L°ºÓº ÏLã ¼ °« }ºÓËÓ¯ÈL«¯ÈLÈL®ÓÒ² ËÓ¯Lm º ÏÈ}¯L¹ã ãË}º¯²ãÒmL Ұ㺠}ÈL ¯ËÏã ÈL ºäËÎËÓÓ« Ò°ãÈ m}ÈÏÈÓÒ² Ò°ãº}ÈL® ÏÈ°ÈÓÓ« ã ¯ÈÏm}°¯L ä}º ÏäËÓ¼ °« È mÒ}L° ®ºº ¹ºÒ¯ËÓÓ« ϯÈÏ} ÏLã ¼ °«

Акустичні дослідження впливу рентгенівського опромінення на динамічне гальмування дислокацій у кристалах LiF

“…Попередню деформацiю зразкiв здiйснювали на машинi типу "Iнстрон" при швидкостi деформування ∼ 10 −5 с −1 шляхом їх стискання вздовж кристалографiчного напрямку 100 . Вибiр вказаної швидкостi деформування не є випадковим, бо як зазначено в роботах [11][12][13][14][15], за таких умов смуги ковзання не виникають, а фiгури протравлювання рiвномiрно покривають всю протравлену поверхню. Це, з одного боку, полегшує процес пiдрахунку густини дислокацiй, а з iншого боку -пiдвищує точнiсть цього розрахунку.…”

“…Тобто, у ролi промiжного результату можна вiдзначити, що в межах iснуючого iнтервалу робочих частот вимiрювальної технiки для зразкiв LiF iз залишковою деформацiєю ε = 1, 5% при T = 300 К доза опромiнення в 660 рентген є граничною. На вiдмiну вiд частотних залежностей Δ d (f ), одержуваних нами ранiше [11][12][13][14][15] при рiзних температурах та густинi дислокацiй, кривi, наведенi на рис. 1, мають суттєву вiдмiннiсть -їх високочастотнi асимптоти майже накладаються одна на одну.…”

“…Для положення резонансного максимуму теорiя [8] дає такi розрахунковi формули: i її рiвень визначається лише взаємодiєю рухливих дислокацiй з фононною пiдсистемою дослiджуваного зразка, на користь чого свiдчить також серiя робiт [11][12][13][14][15]. Порiвнюючи експериментальнi результати по LiF, отриманi в данiй роботi i авторами [10], можна помiтити, що в обох випадках при X-опромiненнi кристалiв частотнi кривi Δ d (f ), зменшуючись за амплiтудою, змiщуються в область високих частот.…”