“…Com poucas modificações no processo de fabricação, foram desenvolvidos os fotodiodos PIN verticais, conforme Figura 7, sendo que o fotodiodo é formado entre a camada N + , a camada epitaxial Pe o substrato P + . Usualmente a concentração de dopantes da camada epitaxial de 10 15 cm -3 , que consequentemente a pequena tensão reversa disponível nos circuitos integrados resultará em uma RDD de apenas 2μm, na qual, não será o suficiente para evitar o mecanismo de difusão de portadores para altos comprimentos de onda, visto que apenas parte da camada epitaxial é depletada (KIM et al, 2010;MUTTAQIN;WIJAYA;PRAJITNO, 2018;ZIMMERMANN, 2000).…”