Hall effect and conductivity measurements are performed, in the case of tellurium, on samples containing a high density of a screw dislocations and on reference samples. Comparison of these measurements shows that a screw dislocations are responsible for a strong free carrier mobility decrease. A discussion of the results, based on theoretical calculations of the free carrier mobility permits to conclude t o a piezoelectric scattering mechanism.On a effect&, dans le cas du tellure, les mesures d'effet Hall e t de conductivit6: i) sur des 6chan-tillons contenant une grande densit6 de dislocations a vis, ii) sur des 6chantillons de r6f6rence. La comparaison des r6sultats exp6rimentaux montre que les dislocations a vis sont responsables d'une forte diminution de la mobilitii des porteurs libres. Une analyse des riisultats, fondiie sur des calculs th6oriques de mobilitii, conduit L attribuer cet effet de diffusion a u potentiel piezoklectrique dkvelopp6 par le champ de deplacement des dislocations.