Temperature dependence of the sticking coefficient in atomic layer deposition

Аналитическая Модель Атомно-Слоевого Осаждения Тонких Пленок На Стенки Цилиндрических Отверстий С Высоким Аспектным Отношением

“…Для количественного сравнения полученных нами результатов с другими авторами [5] будем исследовать рост пленки HfO 2 методом атомно-слоевого осаждения из тетраэтилметиламиногафния (TEMAH) и паров воды. Как было показано нами ранее [10], время ALD-цикла в этом случае лимитируется временем подачи первого прекурсора (ТЕМАН).…”

“…При расчетах использованы характерные для TEMAH параметры ALD-процесса [5]: температура подложки T s = 270…”

“…Далее процесс повторяется до тех пор, пока min < η, или до исчерпания заданно-го времени подачи прекурсора. Для количественного сравнения с результатами [5] степень конформности растущей пленки выбиралась равной 0.99 (η = 0.99).…”

“…Эти кривые качественно согласуются с кривы-ми, полученными в работе [6] для тренчей (канавка прямоугольной формы). Для количественного сравнения результатов на рисунке символами также приведены значения, взятые из работы [5], полученные методом Монте-Карло. В Рис.…”

“…Поэтому исследова-ние зависимости времени подачи металлорганических и неорганических прекурсоров, достаточного для обра-зования конформной пленки, от величины аспектного отношения 3D-структур и коэффициента прилипания молекул прекурсора является предметом теоретических исследований ряда авторов [2][3][4][5][6][7][8][9]. Большинство работ в этой области представляет собой численное модели-рование методом Монте-Карло (см., например, [4][5][6]). Из теоретических работ наиболее известной является работа [3], в основе модели которой используется фор-мула для стационарного течения кнудсеновского газа по трубе, соединяющей две полости, а также равный единице коэффициент прилипания частиц прекурсора.…”