Die bislang unbekannte Kristallstruktur der schwarzen, binären Verbindung Al2Te5 wird durch Rietveld‐Verfeinerung an Röntgen‐Pulverdaten aufgeklärt: a = 1359,29(3) pm, b = 415,27(1) pm, c = 983,92(2) pm, β = 126,97(1)°, Raumgruppe: C2/m (Nr.12), Z = 2. Al2Te5 ist im Unterschied zu Ga2Te5 und In2Te5 sehr hydrolyseempfindlich und kristallisiert in einer Struktur, die sich formal als Te[AlTe3/3Te1/1]2 beschreiben läßt. Das heißt es liegen Schichten vor, die aus Ketten cis‐kantenverknüpfter AlTe4‐Tetraeder und zusätzlichen Te‐Atomen im Sinne der o.g. Formulierung bestehen. Schichten mit einer ähnlichen Topologie sind auch charakteristisch für die beiden Modifikationen In2Te5‐I und In2Te5‐II, nicht aber für Ga2Te5. Dieses hat, im Unterschied zu Al2Te5 und In2Te5, keine Schichtstruktur, sondern ist durch Ketten trans‐kantenverknüpfter GaTe4‐Tetraeder und zusätzliche Te‐Atome im Sinne einer Formulierung Te[GaTe4/2]2 gekennzeichnet. Seine Struktur kann als Variante des TlSe‐Typs angesehen werden.
Aus heterogenen Proben mit der Bruttozusammensetzung In0,5Ga1,5Te5 können darüber hinaus Einkristalle einer neuen, bei In2Te5 selbst bislang nicht gefundenen Stapelvariante des In2Te5‐Typs (In2Te5‐III) isoliert und strukturell charakterisiert werden. Ihre aus den Einkristalldaten bestimmte Zusammensetzung ist In0,77Ga1,23Te5 mit a = 1613,2(3) pm, b = 424,6(1) pm, c = 1330,5(2) pm, β = 97,39(1)°, Raumgruppe C2/c (Nr. 15), Z = 4.
Der Homogenitätsbereich von Ga2Te5 bezüglich Ersatz von Ga durch In ist durch die indiumreiche Grenzzusammensetzung Ga2‐xInxTe5 (x = 0,4) gekennzeichnet. Im Rahmen der Fehlergrenzen ist ein Ersatz von Te in Ga2Te5 durch Se nicht nachweisbar.