Techniques de détermination des paramètres de recombinaison et le domaine de leur validité d’une photopile bifaciale au silicium polycristallin sous éclairement multi spectral constant en régime statique

Abstract

Nous présentons dans cet article, des techniques de détermination des paramètres de recombinaison et le domaine de leur validité d’une photopile bifaciale au silicium poly cristallin sous éclairement multi spectral constant en régime statique. Partant de l’équation de continuité et suivant différents modes d’éclairements (faces avant et arrière, puis simultanément sur les deux faces), nous avons obtenu un certain nombre d’expressions théoriques de la photopile. A partir des études théorique et expérimentale, on déduit trois techniques donnant la longueur de diffusion effective Leff, les vitesses de recombinaison intrinsèques à la jonction Sfa et à la face arrière Sba des porteurs minoritaires de charge pour les différents modes d’éclairement. Une étude des incertitudes sur la détermination de la longueur de diffusion effective a été présentée et elle a montré les limites d’applicabilité de ces techniques de caractérisation des photopiles.