2016 IEEE 25th International Symposium on Industrial Electronics (ISIE) 2016
DOI: 10.1109/isie.2016.7744945
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Switched capacitor boost inverter

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“…Os estados topológicos da estrutura são analisados utilizando-se a modulação por largura de pulso três níveis (3N-PWM) descrita na Figura 2. A modulação adotada possibilita que os pulsos de comando de cada módulo sejam independentes, diferentemente da modulação por largura de pulso dois níveis (2N-PWM), originalmente empregada quando a topologia foi concebida por [16]- [17]. A utilização de pulsos de comando independentes é essencial para que a técnica de linearização abordada no item D desta seção possa ser implementada.…”
Section: A Estados Topológicosunclassified
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“…Os estados topológicos da estrutura são analisados utilizando-se a modulação por largura de pulso três níveis (3N-PWM) descrita na Figura 2. A modulação adotada possibilita que os pulsos de comando de cada módulo sejam independentes, diferentemente da modulação por largura de pulso dois níveis (2N-PWM), originalmente empregada quando a topologia foi concebida por [16]- [17]. A utilização de pulsos de comando independentes é essencial para que a técnica de linearização abordada no item D desta seção possa ser implementada.…”
Section: A Estados Topológicosunclassified
“…Com o objetivo de aumentar o ganho estático dos inversores elevadores não isolados, em [16]- [17] é proposta a integração de células de capacitores chaveados (CaCh) ao convencional inversor boost apresentado em [6]. A topologia resultante é um inversor do tipo boost diferencial a capacitor chaveado, denominado na literatura de switched capacitor differential boost inverter (SCDBI).…”
Section: Introductionunclassified
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“…Since the development of inverters, the volume of the filter has always occupied a large space. The switched‐capacitor differential boost inverters studied in [9, 20] implement boost by doubling the voltage of the switched‐capacitor network, and the bridge arm output is multi‐level, which is beneficial to reduce the volume of output filters and the voltage stress of devices. However, this method leads to the increase of active device counts and the complication of the structure.…”
Section: Introductionmentioning
confidence: 99%
“…A integração de conversores clássicos com células de capacitor chaveado (CaCh) vem se mostrando uma solução interessante tanto para conversões CC-CC [13], [14] quanto para CA-CC [15], [16] e CC-CA [17], [18].…”
unclassified