Yüksek elektron mobilitesi, düşük eşik gerilimi ve kaplama sonrası şeffaf özellik gösteren İndiyum Galyum Çinko Oksit (InGaZnO4, IGZO) malzemesi ekran teknolojilerinde artan bir ivmeyle kullanılmaya başlamıştır. Bu çalışmada sol-jel yöntemi kullanılarak IGZO partikülleri başarılı bir şekilde üretildi. Sentezlenen tozlar 1100 ve 1250 °C ‘de kalsine edildi. Benzer şekilde tozlardan üretilen peletlere farklı sinterleme sıcaklıklarında ısıl işlem uygulandı. Sentezlenen partiküllerin ve peletlerin yüzey morfolojisi ve partikül boyutu, kristal ve faz yapısı, kimyasal kompozisyonu ve termal davranışları sırasıyla taramalı elektron mikroskobu (SEM), X-ışınları kırınımı (XRD), X-ışını fotoelektron spektroskopisi (XPS) ve Diferansiyel Termal Analiz-Termogravimetrik Analiz (DTA-TGA) cihazları ile gerçekleştirildi. Faz analizi sonucu tamamen kristalin InGaZnO4 fazı elde edildi. 12 saat boyunca 1300 oC ‘de sinterlenen IGZO peletlerin bağıl yoğunluğu, %93 olarak belirlenmiş olup, yüksek IGZO kristal yapısı ve büyük tane boyutu göstermiştir. Çalışmamda geliştirilen IGZO partikülleri ve peletler elektronik cihazların uygulanmasında kullanılan yüksek kaliteli hedef malzemeler için potansiyele sahiptir.