Study of waveguide absorption in InGaAs ”quantum well-dots” heterostructures

Бимодальность в спектрах электролюминесценции InGaAs квантовых яма-точек

“…где параметрами аппроксимации являются a i , b i , положение i-го пика λ i , его полуширина w i и угол θ 0i , показывающий направление линейной поляризации (0−ТМ, 90−ТЕ). В таком случае степень поляризации DoP i соответствующего пика можно вычислить по формуле: Отметим, что обнаруженные в данной работе пики в излучении ЭЛ находятся в области основного состояния КЯТ, для которого предыдущие исследования планарных структур показали ярко выраженную ТЕ-селекцию в поглощении [8], в то время как переходы с легкой дыркой соответствуют значительно меньшим длинам волн [9]. Обнаружение в массиве КЯТ объектов, обладающих почти неполяризованным излучением, является достаточно необычным и может иметь высокую практическую значимость для реализации волноводных оптических усилителей и источников излучения, не обладающих поляризационной чувствительностью.…”