Study of the conductivity and the reorientation mechanism in the cesium halides doped with Cd++ and Pb++

Abstract

The dielectric relaxation of CsBr and CsI containing impurities such as Pb++ and Cd++ has been investigated, using the dielectric loss method. The activation energy E, required for the migration of a cation vacancy, obtained from dc conductivity measurements is in good agreement with that resulting from the dielectric loss method. The results are difficult to reconcile with Dreyfus' model. A mechanism for the reorientation of complexes in the CsC1-type structure is proposed. There is a close relation between the melting point T, and the formation energy of the Shottky defects. Es wird die dielektrische Relaxation von CsBr and CsJ, die Verunreinigungen tvie Pb++ und Cd++ enthalten, mit der Methode der dielektrischen Verluste untersucht. Die fur die Wanderung einer Kationenleerstelle notwendige Aktivierungsenergie E, die aus Gleichstrom-Leitfahigkeitsuntersuchungen gewonnen wurde, befindet sich in guter ifbereinstimmung mit den Ergebnissen aus der Methode der dielektrischen Verluste. Es ist schwierig, die Ergebnisse mit dem Modell von Dreyfus in Ubereinstimmung zu bringen. Es wird ein Mechanismus fur die Reorientierung von Komplexen in der CsC1-Struktur vorgeschlagen. Es existiert eine enge Beziehung zwischen dem Schmelzpunkt und der Bildungsenergie der Schottky-Defekte.