Study of defect states in GaN films by photoconductivity measurement

Abstract

Public reporting burden for the collection of information is estimated to average 1 hour per response, including the time for reviewing instructions, searching existing data sources, gathering and maintaining the data needed, and completing and reviewing the collection of information. Send comments regarding this burden estimate or any other aspect of this collection of information, including suggestions for reducing this burden, to Washington Headquarters Services, Directorate for Information Operations and Reports, 1215 Jefferson Davis Highway, Suite 1204, Arlington VA 22202-4302. Respondents should be aware that notwithstanding any other provision of law, no person shall be subject to a penalty for failing to comply with a collection of information if it does not display a currently valid OMB control number.

A Perspective on the GaN Injection Laser

“…Such a tail suggests an extensive density of states in the bandgap. We found the same characteristic in n-type GaN (even in high mobility material grown by S. DenBaars) and in p-type GaN grown by I. Akasaki's team [7]. Hence the losses must be reduced by further improvement of the material.…”

Selective excitation of the yellow and blue luminescence in n- and p-doped Gallium Nitride

“…Secondly, Qiu, et al, observed band-tails in n-type and p-type GaN through photoconductivity (PC) measurements [112]. Their results are quite interesting.…”

Прыжковая проводимость и диэлектрическая релаксация в барьерах Шоттки на основе GaN

“…Резкое увеличение оптического поглощения в GaN вблизи оптических пороговых энергий hv th = 1.1−1.3, 2.1−2.5, 3.1−3.2 эВ наблюдалось ранее в ряде ра-бот [18][19][20][21]. В работе [18] показано, что оптическое поглощение увеличивается с энергией фотона hv как exp(hv/E 0 ), с параметром E 0 , изменяющимся в области от 1.5 до 3 эВ от 180 до 280 мэВ и равным 50 мэВ в урбаховских хвостах плотности состояний в обла-сти ∼ 3.10−3.42 эВ.…”

“…В работе [18] показано, что оптическое поглощение увеличивается с энергией фотона hv как exp(hv/E 0 ), с параметром E 0 , изменяющимся в области от 1.5 до 3 эВ от 180 до 280 мэВ и равным 50 мэВ в урбаховских хвостах плотности состояний в обла-сти ∼ 3.10−3.42 эВ. Исследование спектров подзонного оптического поглощения в объемных кристаллах GaN в работе [12] позволило сделать вывод, что спектры поглощения представляют собой суперпозицию полос поглощения, обусловленных внутрицентровыми перехо-дами в центрах окраски, ответственных за полосы фо-толюминесценции в GaN.…”

“…Вблизи зоны проводимости энергети-ческое распределение плотности локализованных со-стояний может быть аппроксимировано экспоненци-альной функцией g(E t ) = (N t /E U ) exp(−E t /E U ) с ур-баховской энергией E U = 0.05 эВ [18]. Здесь N t -полное число локализованных состояний.…”