Studi Struktur Kristal Lapisan Tipis Seng Oksida Dengan Doping Magnesium (Zno:mg) 0.08 Mol Menggunakan Teknik Penghalusan Rietveld

Abstract

Pada penelitian ini telah dilakukan pendeposisian lapisan tipis ZnO tanpa doping dan dengan doping Mg menggunakan teknik teknik Ultrasonic Spray Pyrolysis (USP) di atas substrat silicon (Si) pada suhu 450 o C dengan frekuensi 1.7 MHz selama 15 menit. Zinc Acetate Dyhydrate [Zn(CH3COO)2] digunakan sebagai prekusor Zn dan Mg(CH3COO)24H2O sebagai prekusor Mg dengan konsentrasi 0.08 mol. Struktur kristal lapisan tipis ZnO tanpa doping dan dengan doping Mg (0.08 mol) dianalisis menggunakan teknik difraksi sinar-x (XRD). Berdasarkan pola XRD terkonfirmasi bahwa struktur kristal dari lapisan tipis ZnO dan ZnO:Mg adalah polikristalin dengan bentuk hexagonal wurtzite. Analisis struktur kristal lebih lajut pada lapisan tipis ZnO tanpa doping dan dengan doping Mg akan dilakukan menggunakan teknik penghalusan Rietveld agar diperoleh data yang lebih baik.