Structure and optical properties of sequentially electrodeposited ZnO/Se bases for ETA solar cells

Структура и свойства электроосажденных в импульсном режиме наноструктурированных массивов ZnO и нанокомпозитов ZnO/Ag на их основе

“…Оксид цинка является перспективным материалом оптоэлектроники и электроники, в том числе фото-вольтаики и сенсорики, благодаря уникальному со-четанию таких свойств, как широкая запрещенная зона (E g = 3.37 эВ), большая энергия связи эксито-на (60 мэВ), доступность, дешевизна и биосовмести-мость [1][2][3][4][5][6][7]. Особенностью ZnO является возможность его синтеза с использованием большого количества пригодных для массового производства методов с целью создания самых разнообразных наноструктур, облада-ющих уникальными свойствами.…”

“…Особенностью ZnO является возможность его синтеза с использованием большого количества пригодных для массового производства методов с целью создания самых разнообразных наноструктур, облада-ющих уникальными свойствами. Нами было показано ранее [4][5][6][7][8], что импульсный режим электроосаждения обеспечивает наилучшим образом управляемый рост наноструктур ZnO, в том числе обладающих антиотра-жающим эффектом и высокой гидрофобностью, которая обратимо устраняется под воздействием ультрафиоле-тового (УФ) облучения, сменяясь гидрофильностью. Эффекты изменения электропроводности наноструктур ZnO в определенных газовых средах и под воздействием УФ нашли свое применение в создании газовых сенсоров и датчиков ультрафиолетового излучения [1][2][9][10][11].…”

Effect of Nanograin Sublayers on Structure and Properties of the Electrodeposited ZnO Arrays

“…Zinc oxide (ZnO) belongs to the rapidly developing class of materials used for electronic and optoelectronic applications [1][2][3][4][5][6][7][8][9] . The reason is not only in the unique properties of this wide bandgap semiconductor (Eg = 3.37 eV) with direct optical transitions and a large exciton binding energy (60 MeV at the room temperature), but also in the possibility of obtaining ZnO using different technologies, including inexpensive and suitable for large-scale production of liquid-phase chemical and electrochemical methods [2][3][4][5][6][7][8][9][10] .…”

“…The reason is not only in the unique properties of this wide bandgap semiconductor (Eg = 3.37 eV) with direct optical transitions and a large exciton binding energy (60 MeV at the room temperature), but also in the possibility of obtaining ZnO using different technologies, including inexpensive and suitable for large-scale production of liquid-phase chemical and electrochemical methods [2][3][4][5][6][7][8][9][10] . The another advantage of the material ZnO is its propensity to form nanostructures with different morphology among which the greatest interest for the developers of electronic products and optoelectronics attract nanowires and nanorods, i.e., one-dimensional (1-D) nanostructures of zinc oxide.…”

“…The another advantage of the material ZnO is its propensity to form nanostructures with different morphology among which the greatest interest for the developers of electronic products and optoelectronics attract nanowires and nanorods, i.e., one-dimensional (1-D) nanostructures of zinc oxide. The method of electrochemical deposition from aqueous solutions allows producing arrays of 1-D ZnO within 10 -90 minutes on the large areas and at a temperature not exceeding 100°C [2][3][4][5][6][7][8][9][10] . The efficiency of this method depends also by using readily available dilute solutions of zinc salts and sodium (or potassium) as starting materials.…”