Structure and optical properties of heterostructures based on MOCVD (Al x Ga1 − x As1 − y P y )1 − z Si z alloys

Влияние разориентации подложки на состав, структурные и фотолюминесцентные свойства эпитаксиальных слоев, выращенных на GaAs(100)

“…Изменение стехиометрии в эпитаксиальном слое неизменно должно отразиться на характере и вели-чине квантового выхода фотолюминесценции от образ-ца [8,18,[22][23][24], т. е. на энергетических характеристиках арсенида галлия, выращенного на подложке GaAs(100) с отклонением от плоскости (100). Для проверки этого утверждения нами были получены спектры фотолюми-несценции при температуре жидкого азота.…”

Влияние разориентации подложки и ее предварительного травления на структурные и оптические свойства интегрированных гетероструктур GaAs/Si(100), полученных методом газофазной эпитаксии

“…Такие исследования были проведены нами с использовани-ем карт обратного q-пространства образцов, поскольку именно они позволяют получать прямую информацию о рассогласовании параметров кристаллических решеток у эпитаксиальной пленки и подложки, разориентации или релаксации слоя, плотности дислокаций в нем, его мозаичности или кривизне [13,14].…”

Эпитаксиальные твердые растворы Al-=SUB=-x-=/SUB=-Ga-=SUB=-1-x-=/SUB=-As : Mg с различным типом проводимости

“…В современных исследованиях полупроводниковых наногетероструктур использование метода высокораз-решающей рентгеновской дифрактометрии позволяет решать целый ряд задач, среди которых определение параметров эпитаксиальных структур, уточнение соста-ва слоев, разделение деформаций и разориентаций в эпитаксиальных слоях, a также определение степени релаксации параметров кристаллической решетки эпи-таксиальных слоев к параметру подложки в гетерострук-турах [9,25,30,31].…”