Structure and morphology of oxide deposition on SiO₂ (I) correlations between parameters of layer formation and structure

Abstract

The oxides of Ge, Sn and Ti were produced by reaction of the adequate metal tetrachlorides in dependence on reaction parameters (pressure, temperature, time) on crystalline and non-crystalline SiO, substrates. Structure and morphology of the formed oxides were investigated by electron diffraction and electron microscopy. I n dependence on the reaction conditions results on the degree of crystallisation and on the particle size distribution could be received. On the basis of the obtained results of investigations conceptions for the mechanism of layer formation were derived.Die Oxide des Ge, Sn und Ti wurden durch Reaktion der entsprechenden Metalltetrachloride als Funktion der Reaktionsparameter (Druck, Temperatur, Zeit) auf kristallinen und nichtkristallinen Si0,-Substraten abgeschieden. Struktur und Morphologie der gebildeten Oxide wurden mittels Elektronenbeugung und Elektronenmikroskopie untersucht und charakterisiert. I n Abhiingigkeit von den Reaktionsbedingungen konnten Aussagen zur Kristallinitiit und zur Variation der Teilchengrofienverteilung getroffen werden. Schliefilich wurden aufgrund der erhaltenen Untersuchungsergebnisse Vorstellungen zum Mechanismus der Schichtbildung entwickelt.