Structural and optical properties of high density Si-ncs synthesized in SiNx:H by remote PECVD and annealing

Structural and optoelectronical characterization of Si–SiO2/SiO2 multilayers with applications in all Si tandem solar cells

“…Indeed, according to the images Si-nps are separated from each other by about 1 nm. This distance is favorable for the achievement of good electrical transport properties based on the tunneling probability in a SiO 2 matrix, as referred by Conibeer et al 20 Furthermore, contrary to other works, 21,22 no coalescence between Si-nc or percolation effects were observed, which attest of the quality of the fabricated MLs and the precise control of the excess Si permitted by the reactive process. The optoelectronical properties of these samples were investigated, in order to correlate them to the structural characteristics.…”

Physics of Charging in Dielectrics and Reliability of Capacitive RF-MEMS Switches

“…The latter allows us to describe silicon oxide and nitride as SiO x and and SiN x with x < 2 and x < 1.33 respectively. The low temperature deposition gives rise to formation of silicon nanoclusters and/or nanocrystals in both materials due to the fact that Si excess is high and the phase separation mechanism is not nucleation and growth as in the case of low Si excess, but spinodal decomposition (Carrada 2008). Fig.3a shows clearly the percolation of nanocrystal after 1 min annealing at 1000 •C under Ar ambient.…”

Μελέτη Και Βελτιστοποίηση Των Ηλεκτρικών Ιδιοτήτων Λεπτών Μονωτικών Υμενίων Που Χρησιμοποιούνται Σε Μικρο-Ηλεκτρο-Μηχανικά Συστήματα (MEMS)

“…Τα υμένια νιτριδίου του πυριτίου που εναποτίθενται στους διακόπτες RF MEMS δεν είναι κρυσταλλικά αλλά άμορφα και αποκλίνουν από τη στοιχειομετρία (συνήθως με περίσσεια πυριτίου) [80], [81], [82], [83], γι' αυτό και το άμορφο νιτρίδιο του πυριτίου θα αναφέρεται στη συνέχεια ως SiNx.…”

“…Τα άμορφα υμένια SiNx έχει βρεθεί ότι εμφανίζουν νανοσυμπλέγματα πυριτίου (Si nanoclusters) [80] (Σχήμα 2.10) και ελεύθερους δεσμούς Si και N στο πλέγμα τους.…”

“…Η τάση αυτή φαίνεται να μειώνεται με την αύξηση της περιεκτικότητας σε πυρίτιο και το ίδιο θα ισχύει για το παγιδευμένο φορτίο. Η παραπάνω συμπεριφορά αποδίδεται στην αύξηση του ρεύματος διαρροής όταν αυξάνεται η περιεκτικότητα του πυριτίου λόγω δημιουργίας παγίδων και νανοσυμπλεγμάτων Si [80] που διευκολύνουν την μετακίνηση των φορτίων στο υμένιο μέσω διαδικασιών hopping και tunneling [144]. Για να εξισωθούν λοιπόν έτσι τα ρεύματα έγχυσης και αποπόλωσης πρέπει να ελαττωθεί το εφαρμοζόμενο ηλεκτρικό πεδίο.…”