Structural and optical investigations of AlxGa1−xAs:Si/GaAs(100) MOCVD heterostructures

На основе методов высокоразрешающей рентгеновской дифракции, рамановской и фотолюминесцентной спектроскопии исследованы структурные, оптические и энергетические свойства эпитаксиальных гетероструктур AlxGa1-xAs : Mg/GaAs(100) с различной степенью легирования магнием. Показано, что подбором технологических условий в твердом растворе AlxGa1-xAs : Mg может быть достигнут не только различный тип проводимости, но и существенно различная концентрация носителей заряда в эпитаксиальной пленке. DOI: 10.21883/FTP.2017.01.8342

Section: рис 2 спектры рамановского рассеяния гетероструктурunclassified

Section: Introductionunclassified

Эпитаксиальные твердые растворы Al-=SUB=-x-=/SUB=-Ga-=SUB=-1-x-=/SUB=-As : Mg с различным типом проводимости

Seredin¹,

Lenshin²,

Арсентьев³

et al. 2017

“…Хорошо известно, что метод ИК-спектроскопии ши-роко используется для изучения тонких решеточных свойств и оценки структурного качества эпитаксиальных пленок, позволяет оценивать внутренние напряжения в кристаллической решетке, к которым данный метод является очень чувствительным [17,18].…”

Section: ик-спектроскопияunclassified

Экспериментальные исследования влияния эффектов атомного упорядочения в эпитаксиальных твердых растворах Ga-=SUB=-x-=/SUB=-In-=SUB=-1-x-=/SUB=-P на их оптические свойства

Seredin¹,

Голощапов²,

Lenshin³

et al. 2017

(Получена 12 декабря 2016 г. Принята к печати 1 февраля 2017 г.)В работе комплексом спектроскопических методов изучены свойства эпитаксиальных твердых растворов Gax In 1−x P с упорядоченным расположением атомов в кристаллической решетке, выращенных методом MOCVD на монокристаллических подложках GaAs(100). В условиях когерентного роста упорядоченного твердого раствора Gax In 1−x P на GaAs(100) появление атомного упорядочения приводит к кардинальному изменению оптических свойств полупроводника по сравнению со свойствами неупорядоченных твердых растворов, среди которых уменьшение ширины запрещенной зоны и усиление люминесценции.Впервые на основе данных дисперсионного анализа ИК-спектров отражения, а также данных УФ-спектроскопии, полученных в режиме пропускание-отражение, определены основные оптические характе-ристики твердых растворов Gax In 1−x P с упорядочением, а именно дисперсия коэффициента преломления, высокочастотная диэлектрическая проницаемость. Все экспериментальные результаты находятся в хорошем согласии с развитыми теоретическими представлениями.

“…Постоянная решет-ки с учетом упругих напряжений в гетероэпитакси-альном слое a v в соответствии с линейной теорией упругости [7,13,14] может быть рассчитана следующим образом:…”

Section: структурные исследованияunclassified

Экспериментальные исследования влияния эффектов атомного упорядочения в эпитаксиальных твердых растворах Ga-=SUB=-x-=/SUB=-In-=SUB=-1-x-=/SUB=-P на их структурные и морфологические свойства

Seredin¹,

Lenshin²,

Худяков³

et al. 2017

Комплексом структурных и микроскопических методов изучены свойства эпитаксиальных твердых растворов GaxIn1-xP с упорядоченным расположением атомов в кристаллической решетке, выращенных методом MOCVD на монокристаллических подложках GaAs(100). Показано, что в условиях когерентного роста упорядоченного твердого раствора GaxIn1-xP на GaAs(100) появление атомного упорядочения приводит к кардинальному изменению структурных свойств полупроводника по сравнению со свойствами неупорядоченных твердых растворов, среди которых изменение параметра кристаллической решетки и, как следствие, понижение симметрии кристалла, а также образование двух различных типов нанорельефа поверхности. Впервые с учетом упругих напряжений рассчитаны параметры твердых растворов GaxIn1-xP с упорядочением в зависимости от параметра порядка. Показано, что все экспериментальные результаты находятся в хорошем согласии с развитыми теоретическими представлениями. DOI: 10.21883/FTP.2017.08.44802.8480