Structural and optical characterization of Mg-doped GaAs nanowires grown on GaAs and Si substrates

Abstract

Ferromagnetic (Ga,Mn)As nanowires grown by Mn-assisted molecular beam epitaxy

Self-catalyzed molecular beam epitaxy growth and their optoelectronic properties of vertical GaAs nanowires on Si(111)

“…3, there is only a single emission with larger intensity centered at 826.6 nm (1.501 eV) in the low-temperature PL spectrum of the GaAs nanowires which is grown under the larger V/III ratio (90). Compared the low-temperature PL spectra with the previous reports [28,[38][39][40][41][42][43], it is considered that the peak emission at 1.501 eV corresponds to the free exciton emission of ZB GaAs nanowires. It is indicated that the GaAs nanowires have a pure ZB structure, which is consistent with HRTEM results presented above.…”

Effect of swift heavy ion (SHI) irradiation on the structural and optical properties of N implanted CVT grown ZnSe single crystals

“…Concerning, the fluence dependence quenching of the PL intensity, when the ion fluence is increased the lattice temperature of ZnSe also increases during irradiation. Due to increasing the temperature of the lattice, the charge carriers can be released from the radiative state to one or more discrete excited states within the band gap leading to the quenching of the PL intensity [32,[35][36][37]. The decrease in the intensity of emission peaks for the irradiation and implanted with irradiated samples has been calculated with respect to pristine samples.…”

Эпитаксиальные твердые растворы Al-=SUB=-x-=/SUB=-Ga-=SUB=-1-x-=/SUB=-As : Mg с различным типом проводимости

“…Такие переходы вызваны, по-видимому, увеличением акцептор-ной примеси и соответственно плотностью акцепторных состояний. Полученные нами данные хорошо совпадают с уже полученными в ряде работ по исследованию образцов GaAs : Mg [22,23,27,28].…”

“…Среди возможных вариантов наиболее перспективным является магний [19][20][21]. Использова-ние Mg весьма предпочтительно, так как он имеет большую растворимость и, встраиваясь в катионные узлы твердых растворов на основе A III B V , представ-ляет собой неглубокий акцепторный уровень [22][23][24][25]. Кроме того, легированные магнием эпитаксиальные слои имеют более низкое удельное сопротивление при аналогичном составе, нежели при использовании ана-логичных примесей для создания p-типа легирующей примеси.…”