Strong Volta potential change in doped zinc oxide as a photoresponse to UV irradiation

Huber, S.; Mardare, Cezarina Cela; Mardare, Andrei Ionut; Kleber, Christoph; Hassel, Achim Walter

doi:10.1039/c9ra01758e

Cited by 6 publications

(2 citation statements)

References 43 publications

(44 reference statements)

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Optik soğurma kuyruğu 370 nm'de olmaktadır ve gözlenen dalgalanmalar oksijen bazlı safsızlıklar ile ilişkilendirilmiştir. Bant boşluğu mavi kaymasının etkisi, katkılı ZnO filmleri ile ilgili önceki çalışmalarda gözlemlenen Burstein-Moss etkisine atfedilebilir [38][39][40][41]. Huber ve ark., saçtırma metoduyla farklı katkılamalarda ZnO ince filmler üretmişler ve W katkılı ZnO ince filmleri için aynı şekilde 370 nm'de bir mavi kayma gözlendiğini rapor etmişlerdir [38].…”

Section: Materyal Ve Metod (Materials Andunclassified

“…Huber ve ark., saçtırma metoduyla farklı katkılamalarda ZnO ince filmler üretmişler ve W katkılı ZnO ince filmleri için aynı şekilde 370 nm'de bir mavi kayma gözlendiğini rapor etmişlerdir [38]. Huber ve ark., Al, Mn, Ti, W ve Zr katkılı ZnO ince filmler üretmişler ve W katkılı ZnO ince filmlerinde yaklaşık 390 nm'de bir mavi kayma gözlemlediklerini bildirmişlerdir [39]. Chu ve ark.…”

Section: Materyal Ve Metod (Materials Andunclassified

See 1 more Smart Citation

Gas Sensor Applications of Tungsten Doped ZnO Thin Films in Low Hydrogen Gas Concentration

2021

Politeknik Dergisi

View full text Add to dashboard Cite

Son zamanlarda, dizel, benzin ve propan gazı gibi fosil kaynaklardan gelen enerjinin yerini alabilecek alternatif bir enerji kaynağı olarak hidrojen gazının uygulanması için çalışmalar hızla önem kazanmaya başlamıştır. Bu nedenle, hidrojen gazı, vaat edilen alternatif bir enerji kaynağı olmanın ötesine geçtiği başlıca enerji kaynaklarından biri olarak kabul edilmektedir. Ancak, hidrojen gazı patlayıcıdır ve büyük bir yangına neden olabilir. Bu gazın rengi, kokusu ve tadı olmadığından, güvenlik için minimum miktarda hidrojen gazı algılayabilen çok hassas bir gaz sensörü üretimi yapılmalıdır. Dahası, hidrojen gazı son derece hafiftir ve atmosfere kolayca yayılır. Gaz konsantrasyonu % 4'ün üzerinde olduğunda bir patlama meydana gelebilir; bu nedenle ppm ölçekli hidrojen gazı algılayabilen sensörler geliştirilmelidir. Bu çalışmada Tungten (W) katkılı ZnO ince filmler kimyasal banyolama tekniği ile %1 ve % 2 katkılı olarak büyütüldü ve Hidrojen gaz (H2) algılama özellikleri incelendi. Üretilen numunenin farklı sıcaklıklarda (30°C-160°C) ve 5 ppm-100 ppm gaz konsantrasyonu aralığında elektriksel karakterizasyonu yapıldı. Çalışma sıcaklığı 100 C olarak bulundu. Sensörler, 5 ppm H2 gaz konsantrasyonuna karşı kabul edilebilir düzeyde duyarlılık sergiledi. %1 W-katkılı ZnO ince film 100 °C çalışma sıcaklığında diğer ince filmlere kıyasla daha yüksek algılama performansı gösterdi. %1 W-katkılı ZnO ince film 5 ppm H2 gazına karşı % 28,56 duyarlılık sergilerken, %2 W-katkılı ZnO ince film % 7 duyarlılık sergilediği hesaplandı. Ölçüm sonuçları, numunelerin gaz algılama özelliklerinin katkılamaya bağlı olarak değiştiğini gösterdi.

show abstract

Section: Materyal Ve Metod (Materials Andunclassified

Gas Sensor Applications of Tungsten Doped ZnO Thin Films in Low Hydrogen Gas Concentration

2021

Politeknik Dergisi

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

Limitations of the Tauc Plot Method

Klein,

Kampermann,

Mockenhaupt

et al. 2023

Adv Funct Materials

View full text Add to dashboard Cite

The Tauc plot is a method originally developed to derive the optical gap of amorphous semiconductors such as amorphous germanium or silicon. By measuring the absorption coefficient α(hν) and plotting versus photon energy hν, a value for the optical gap (Tauc gap) is determined. In this way non‐direct optical transitions between approximately parabolic bands can be examined. In the last decades, a modification of this method for (poly‐) crystalline semiconductors has become popular to study direct and indirect interband transitions. For this purpose, (ahν)n (n = , 2) is plotted against hν to determine a value of the electronic bandgap. Due to the ease of performing UV–vis measurements, this method has nowadays become a standard to analyze various (poly‐) crystalline solids, regardless of their different electronic structure. Although this leads partially to widely varying values of the respective bandgap of nominally identical materials, there is still no study that critically questions which peculiarities in the electronic structure prevent a use of the Tauc plot for (poly‐) crystalline solids and to which material classes this applies. This study aims to close this gap by discussing the Tauc plot and its limiting factors for exemplary (poly‐) crystalline solids with different electronic structures.

show abstract

Optimization of sol–gel based ZnO metal–semiconductor–metal UV detectors by Zr doping through sputtering method

2021

View full text Add to dashboard Cite

Strong Volta potential change in doped zinc oxide as a photoresponse to UV irradiation

Abstract: Doped ZnO thin films on ITO substrates were prepared by reactive co-sputtering of ZnO and several dopant metals, namely Al, Mn, Ti, W or Zr.

Cited by 6 publications

References 43 publications

Gas Sensor Applications of Tungsten Doped ZnO Thin Films in Low Hydrogen Gas Concentration

Gas Sensor Applications of Tungsten Doped ZnO Thin Films in Low Hydrogen Gas Concentration

Limitations of the Tauc Plot Method

Optimization of sol–gel based ZnO metal–semiconductor–metal UV detectors by Zr doping through sputtering method

Contact Info

Product

Resources

About