Stimulated Low-Frequency Raman Scattering in LaF3 Suspensions

Вынужденное Низкочастотное Комбинационное Рассеяние Света В Монокристаллическом Алмазе С Заглубленным Графитизированным Слоем

“…Значения низкочастотного комбинационного рассеяния порядка 10 GHz характерны для наноструктур с размерами рассеивающих центров порядка сотен нанометров [2,3,[8][9][10], так как величина ВНКР обратно пропорциональна диаметру (размеру) наночастиц, совершающих собственные колебания в направлении, вдоль которого в рассеивающем объекте (молекуле, вирусе, нанопленке) распространяется наблюдаемая мода ВНКР. В наших экспериментах такая зависимость также обнаруживается: частоты ВНКР в монокристаллической алмазной пленке обратно пропорциональны размерам нанослоев -толщине графитизированного слоя внутри алмазной пленки и его глубине залегания, т. е. толщине восстановленного монокристаллического алмазного слоя над ним.…”

“…Эффективность преобразования волны накачки в волну рассеяния ВНКР в ансамблях некоторых типов наночастиц, в частности, диэлектрических фторидов редкоземельных элементов, достигает 20% [3]. Порог возникновения эффекта оценивается как 0.01−0.05 GW/cm 2 [2,4].…”