“…Участие фононов является также причиной того, что вероятность непрямых излучательных переходов меньше, чем прямых 16 , так как вероятность непрямых переходов содер-жит дополнительный матричный элемент, описывающий электрон-фонон-ное взаимодействие во время рекомбинации 17 · 18 . Изменение зонной структуры приводит к следующим существенным различиям в поглощении (и, следовательно, в испускании): в веществах с прямой зоной коэффициент поглощения а пропорционален У Ε -E g , т. е. резко возрастает с ростом энергии вблизи края зоны E g и достигает обычно значений 10 5 см' 1 , а в материалах с непрямой зоной а пропорцио-нален (E~Eg) 2 , т. е. растет вблизи края зоны более медленно и имеет величину 10 2 -10 3 см' 1 . Коэффициент поглощения а связан со скоростью вынужденного излучения следующим соотношением 15 :…”