STIMULATED EMISSION OF RADIATION FROM GaAs p-n JUNCTIONS

12th International Conference on High Pressure Semiconductor Physics (HPSP‐12): Concluding remarks

“…I was put to measure the pressure and temperature dependence of the dielectric constant of Ge and Si and to find a cogent explanation of the seemingly anomalous results (the dielectric constants decrease with increasing pressure). One of my colleagues, Marshall Nathan, after graduating and moving to IBM became one of the co-discoverers of the GaAs laser [13]. In 1960 Bill Paul was promoted to tenure within the ranks, a very rare occurrence at Harvard those days.…”

Инжекционные Лазеры

“…Участие фононов является также причиной того, что вероятность непрямых излучательных переходов меньше, чем прямых 16 , так как вероятность непрямых переходов содер-жит дополнительный матричный элемент, описывающий электрон-фонон-ное взаимодействие во время рекомбинации 17 · 18 . Изменение зонной структуры приводит к следующим существенным различиям в поглощении (и, следовательно, в испускании): в веществах с прямой зоной коэффициент поглощения а пропорционален У Ε -E g , т. е. резко возрастает с ростом энергии вблизи края зоны E g и достигает обычно значений 10 5 см' 1 , а в материалах с непрямой зоной а пропорцио-нален (E~Eg) 2 , т. е. растет вблизи края зоны более медленно и имеет величину 10 2 -10 3 см' 1 . Коэффициент поглощения а связан со скоростью вынужденного излучения следующим соотношением 15 :…”

Semiconductor lasers for high-speed information technologies (Invited Paper)

“…A few years later, Hall et al, Nathan et al, and Quist et al claimed the first realization of semiconductor lasers [2][3][4] almost simultaneously. Semiconductor lasers are key elements in applications, such as laser printers, pumping light, optical sensors, optical storage, medical inspection, and optical communications.…”