The present paper is concerned with an extremly anisotropic two-step patterning process for MoZSi/poly-Si double layers with an etch-stop on thick P-doped CVD-SiO,. As etching gas Cl,/CF,/O, and CI,/CF, are used. By means of etch rate dependencies, volatilities of possible reaction products and results, obtained from the literature it is attempted to develop a simple qualitative model on the chemism of the process.Der Artikel beschreibt einen LuRerst anisotropen plasmachemischen Zwei-Phasen-StrukturierungsprozeB fur MoSi/poly-Si-Doppelschichten mit Atzstopp auf dickem Pdotiertem CVD-SiO,. Als Atzgase werden Cl,/CF, und Cl,/CF$O, verwendet. Anhand von hzratenabhangigkeiten, Fliichtigkeiten moglicher Reaktionsprodukte und Ergebnissen aus der Literatur wird versucht, ein einfaches qualitatives Model1 zum Chemismus des Prozesses zu entwickeln.