Spurenelemente in Halbleitern – eine analytische Herausforderung für die ETV ICP OES

Abstract

Ziel der Untersuchungen war die Analyse von Spurenelementen in Halbleitermaterialien (Indiumphosphid, Siliciumcarbid, Aluminiumnitrid, Galliumarsenid). Durch Anwendung der ETV ICP OES als Methode der direkten Feststoffanalyse wird eine Verbesserung der Bestimmungsgrenzen im Vergleich zur klassischen Lösungs-analyse nach chemischen Aufschluss mit der ICP OES erreicht. Die Kalibrierung erfolgte mit eingetrockneten Standardlösungen bzw. mit Analytaddition. Die erhaltenen Ergebnisse zeigen die prinzipielle Eignung der ETV ICP OES zur Spurenelementbestimmung in Halbleitermaterialien.Schlüsselworte: Halbleiter, Spurenelemente, chemische Analyse, ETV ICP OES Direct analysis of solids is characterized by some benefits compared to dissolution-based methods. Techniques for the direct analysis of semiconductors (Indium phosphide, Silicon carbide, Aluminium nitride, Gallium arsenide) provide an advantageous alternative to methods using wet digestion in sample preparation. The calibration procedure is the major difficulty of all techniques applied for direct solid sample analysis, as there is a lack of suitable reference materials of semiconductors. Calibration was carried out using both dried liquid standards and the analyte-addition technique. ETV ICP OES can be a powerful technique for the determination of trace elements in semiconductors.