Abstract:We report observation of the Hall slope change in wide Al c Ga 1−c As parabolic wells in the presence of a quasi-parallel magnetic field. Above the critical magnetic field B > 4T , the Hall resistance becomes temperature dependent and can be described by equation R xy /cosΘ ∼ (B − B 0 )/en s , where n s is the electron density, B 0 =2-2.6 T and Θ is the angle between magnetic field and the normal to the well plane. The effect strongly depends on the electron density; it is observed only in parabolic wells, whi… Show more
“…Assim, dentro do intervalo de interesse, pode-se considerar que o fator g em estruturas de Al x Ga 1−x As muda com a composição x de Al em forma linear [53,54], comoé mostrado na Fig. (1.17) [53].…”
Neste trabalho, apresentamos estudos de magnetotransporte em um sistema quase tridimensional de elétrons produzido em amostras contendo poços quânticos parabólicos (PQW, Parabolic Quantum Well) formados em heteroestruturas de AlGaAs crescidos sobre substratos de GaAs pela técnica de epitaxia por feixe molecular (MBE). Na primeira parte do nosso trabalho realizamos medidas de magnetoresistência, efeito Hall e efeito Shubnikov-de Haas em PQWs com larguras de 1000Å a fim de investigar as propriedades eletrônicas tais como a concentração e a mobilidade dos elétrons nas amostras. Através de cálculos autoconsistentes determinou-se os perfis de potencial, os níveis de energia e as concentrações de cada uma das sub-banda ocupadas no poço. Uma análise através da transformada de Fourier também permitiu determinar as concentrações eletrônicas nas sub-bandas. Em uma segunda parte estudou-se a influência da aplicação de potenciais externos através de uma porta metálica com barreira em uma amostra contendo um PQW de largura 3000Å na presença de campos magnéticos perpendicular e paraleloà superficie da amostra. Encontrou-se que para uma tensão de porta de V g = −0, 55V forma-se uma barreira de potencial ainda sem ter depleção de cargas no poço. Apresenta-se a idealização do dispositivo transistor válvula de spin, a partir do fato que aplicando uma tensão de portaé possível deslocar espacialmente os elétrons e mudar a sua orientação de spin.
“…Assim, dentro do intervalo de interesse, pode-se considerar que o fator g em estruturas de Al x Ga 1−x As muda com a composição x de Al em forma linear [53,54], comoé mostrado na Fig. (1.17) [53].…”
Neste trabalho, apresentamos estudos de magnetotransporte em um sistema quase tridimensional de elétrons produzido em amostras contendo poços quânticos parabólicos (PQW, Parabolic Quantum Well) formados em heteroestruturas de AlGaAs crescidos sobre substratos de GaAs pela técnica de epitaxia por feixe molecular (MBE). Na primeira parte do nosso trabalho realizamos medidas de magnetoresistência, efeito Hall e efeito Shubnikov-de Haas em PQWs com larguras de 1000Å a fim de investigar as propriedades eletrônicas tais como a concentração e a mobilidade dos elétrons nas amostras. Através de cálculos autoconsistentes determinou-se os perfis de potencial, os níveis de energia e as concentrações de cada uma das sub-banda ocupadas no poço. Uma análise através da transformada de Fourier também permitiu determinar as concentrações eletrônicas nas sub-bandas. Em uma segunda parte estudou-se a influência da aplicação de potenciais externos através de uma porta metálica com barreira em uma amostra contendo um PQW de largura 3000Å na presença de campos magnéticos perpendicular e paraleloà superficie da amostra. Encontrou-se que para uma tensão de porta de V g = −0, 55V forma-se uma barreira de potencial ainda sem ter depleção de cargas no poço. Apresenta-se a idealização do dispositivo transistor válvula de spin, a partir do fato que aplicando uma tensão de portaé possível deslocar espacialmente os elétrons e mudar a sua orientação de spin.
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