Specific Features of Carrier Transport in n+–n0–n+ Structures with a GaAs/AlGaAs Heterojunction at Ultrahigh Current Densities

Исследования процессов транспорта носителей заряда в изотипных гетероструктурах типа n-=SUP=-+-=/SUP=--GaAs/n-=SUP=-0-=/SUP=--GaAs/n-=SUP=-+-=/SUP=--GaAs с тонким широкозонным барьером AlGaAs

“…На участке ОДС напряжение на структуре падает с 11 до 10 В и с 10.5 до 8 В для моментов времени 60 и 80 нс соответственно. Проведенные ранее экспериментальные исследования особенностей транспорта через гетеробарьер показали, что область ОДС ВАХ была связана с включением ударной ионизации [7,8]. С целью проведения экспериментальной оценки наличия процесса ударной ионизации в исследуемой структуре были выполнены измерения люминесцентных характеристик во всем исследуемом диапазоне токов накачки.…”

“…Для анализа экспериментальных результатов был проведен расчет ВАХ в рамках модели энергетического баланса [9][10][11]. Ранее модель энергетического баланса использовалась для анализа процессов транспорта через гетеропереход в изотипных гетероструктурах при сверхвысоких уровнях токов накачки [7,8]. На рис.…”

“…В рамках данной работы проведены экспериментальные исследования и теоретический анализ с использованием модели энергетического баланса особенностей транспорта носителей заряда в n + -GaAs/ n 0 -GaAs/n + -GaAs структурах с широкозонным барьером N 0 -AlGaAs, расположенным в слабо легированной n 0 -GaAs-области. Ранее в работах [7,8] экспериментально и теоретически были исследованы особенности транспорта через гетеробарьер, где было показано, что необходимо учитывать ударную ионизацию при анализе особенностей вольт-амперных характеристик.…”

Изотипные гетероструктуры n-AlGaAs/n-GaAs, оптимизированные для эффективной межзонной излучательной рекомбинации при накачке электрическим током

“…Было показано, что структуры типа n + (сильно легированный слой)/n 0 (слабо легированный слой)/n + (сильно легированный слой) характеризуются заметной нелинейностью вольт-амперной характеристики (ВАХ), которая связана с эффектом насыщения скорости дрейфа основных носителей заряда в области сильного электрического поля и включением процесса ударной ионизации [3]. Проведенные позже экспериментальные и теоретические исследования процессов транспорта в изотипных гетероструктурах показали, что, кроме нелинейности ВАХ, также наблюдается излучательная рекомбинация, связанная с генерацией неосновных носителей заряда за счет ударной ионизации в домене сильного электрического поля [4,5]. В работе [5] рассматривались изотипные гетероструктуры, где с помощью спонтанного излучения в квантово-размерной области визуализировалась токовая динамика формирования областей с сильными электрическими полями и ударной ионизации в них, при комнатной температуре.…”

“…Проведенные позже экспериментальные и теоретические исследования процессов транспорта в изотипных гетероструктурах показали, что, кроме нелинейности ВАХ, также наблюдается излучательная рекомбинация, связанная с генерацией неосновных носителей заряда за счет ударной ионизации в домене сильного электрического поля [4,5]. В работе [5] рассматривались изотипные гетероструктуры, где с помощью спонтанного излучения в квантово-размерной области визуализировалась токовая динамика формирования областей с сильными электрическими полями и ударной ионизации в них, при комнатной температуре. Однако данная работа была сосредоточена на исследова-нии транспорта носителей, и рассматриваемая структура не была оптимальной для накопления высоких концентраций неравновесных носителей и, соответственно, для получения высокой эффективности излучательной рекомбинации.…”