2009
DOI: 10.1007/s10971-009-1929-y
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Sol–gel elaboration and structural investigations of Lu2O3:Eu3+ planar waveguides

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
5

Citation Types

1
6
0
3

Year Published

2009
2009
2020
2020

Publication Types

Select...
6
2

Relationship

0
8

Authors

Journals

citations
Cited by 23 publications
(11 citation statements)
references
References 20 publications
1
6
0
3
Order By: Relevance
“…Полуторные оксиды Y и Gd являются отличными матрицами по структурной стабильности для создания люминофоров различного спектра излучения при легировании активаторами фотолюминесценции (ФЛ) редкоземельными элементами (РЗЭ). Широко используемыми РЗЭ-активаторами являются достаточно доступные и относительно дешевые Eu 3+ , Tb 3+ , позволяющие получить эффективную, интенсивную, одноцентровую эмиссию в красной (среднее 612 nm), зеленой (542 nm) и голубой (487 nm) областях видимого спектра [1][2][3][4]. Эти цвета близки к основным, смешение которых позволяет создавать различные оттенки излучаемого цвета.…”
Section: Introductionunclassified
“…Полуторные оксиды Y и Gd являются отличными матрицами по структурной стабильности для создания люминофоров различного спектра излучения при легировании активаторами фотолюминесценции (ФЛ) редкоземельными элементами (РЗЭ). Широко используемыми РЗЭ-активаторами являются достаточно доступные и относительно дешевые Eu 3+ , Tb 3+ , позволяющие получить эффективную, интенсивную, одноцентровую эмиссию в красной (среднее 612 nm), зеленой (542 nm) и голубой (487 nm) областях видимого спектра [1][2][3][4]. Эти цвета близки к основным, смешение которых позволяет создавать различные оттенки излучаемого цвета.…”
Section: Introductionunclassified
“…Recently, Lu 2 O 3 thin films have been intensively studied and were prepared by different methods like physical and chemical vapor deposition (PVD-CVD) [14,15], sol-gel method [16], pulsed laser deposition [17], electron beam deposition [18][19][20] and atomic layer deposition [21,22], nevertheless these methods require high vacuum, high temperature and complex experimental procedure. Electrodeposition method is well known solution process to grow semiconductor films, the advantages of this method comparing to the cited above is low cost, low process temperature and it is simple to implement and easy to operate, the obtained films onto FTO can be used in laser applications and as scintillators.…”
Section: Introductionmentioning
confidence: 99%
“…Undoped Ln 2 O 3 (Ln 3 + = Lu, Y) matrices are promising materials as a replacement for amorphous silicon oxide in transistors with an insulated gate because of their high thermal conductivity, thermal stability and dielectric constant of more than 3 times that of amorphous SiO 2 . A large bandgap of the rare‐earth oxides (∼5.5 eV) provides their transparency in a wide spectral range for a number of optical applications . High isomorphic capacity allows one to introduce a significant concentration of activators into the matrix with formation of a continuous series of (Ln I 1– x Ln II x ) 2 O 3 substitution solid solutions for obtaining effective crystal phosphors for various purposes .…”
Section: Introductionmentioning
confidence: 99%
“…Among rare‐earth phosphors, due to the large effective atomic number (63), high density (9.42 g/cm 3 ) and significant light yield achieving 20 000–30 000 photons/MeV, film structures based on solid solutions (Lu 1– x Eu x ) 2 O 3 generate considerable interest as X‐ray converters . In the possibility of using submicrometer (Lu 1– x Eu x ) 2 O 3 films for creation of luminescent screens with a spatial resolution up to a few micrometers is shown.…”
Section: Introductionmentioning
confidence: 99%