Sn-X centers in GaAlAs thin layer emitters

Abstract

Different thin film GaAlAs structures (Schottky diodes) with various Sn concentration are studied. Their behaviour is similar to electroluminescent emitters (LED and laser diodes). I t is observed that Sn controls the behaviour of the layers if z > 0.15. The deep level spectroscopy shows the existence of various donor-levels associated with the Sn impurity. Their concentration is correlated to the amount of Sn introduced into the epitaxial growth solution. These centers show the D-X center characteristics (in particular the existence of a barrier preventing carriers capture) and may be considered as complex defects made of an Sn atom associated with one or many vacancies.Diverses structures couches minces de GaAlAs (diodes Schottky) de composition variable e t presentant une concentration en Sn plus ou moins &levee ont BtB 6tudiBes. Leur comportement prbsente une similitude avec celui des Bmetteurs 6lectroluminescents (diodes Blectroluminescentes e t diodes laser). I1 a &ti: observe que Sn contr6le le comportement des couches si . z > 0,15. Une spectroscopie des niveaux profonds a permis de mettre en evidence plusieurs niveaux de type donneur qui paraissent caractkristiques de I'impuret8 Sn. Leur concentration est corrklee A la quantitk de Sn introduite dans le bain de croissance 6pitaxiale. Ces centres prksentent les caracteristiques des centres D-X (notamment l'existence d'une barrihre s'opposant A la capture des porteurs) et peuvent &tre considkrks comme defauts complexes dans lesquels sont associes un atome de Sn et une ou plusieurs lacunes.

Detection of Persisting Photoelectrons in AlGaAs Double Heterostructure Laser Diodes by DLTS

“…This is supported by photoconductivity and DLTS measurements [7] and by capture data reported, e.g. [4]. That means the PPC effect in n-type Al0.35Ga0.65Αs:Sn at and above TLN is mainly related to DX2 and not to the dominant trap DX1.…”

“…The DX1 should be the main Sn-related DX centre (Εt,1 = 0.19.. .0.21 eV, e.g. [4]). The low-temperature part of spectum (a) was recorded under non-saturation conditions.…”

Detection of persisting photoelectrons in AlGaAs double heterostructure laser diodes by DLTS

“…This is supported by photoconductivity and DLTS measurements [7] and by capture data reported, e.g. [4]. That means the PPC effect in n-type Al0.35Ga0.65Αs:Sn at and above TLN is mainly related to DX2 and not to the dominant trap DX1.…”

Vieillissement accéléré et dégradation des diodes électroluminescentes à double hétérostructure (GaAl)As-GaAs

“…dégradation homogène (absence de lignes noires) d'abord rapide (pendant 200 à 300 h), puis plus lente. Pour celles-ci, nous avons suivi les évolutions de la puissance lumineuse émise pour une densité de courant de 50 A/CM2 et de la concentration de centres profonds mesurée par les techniques de capacité et de courant transitoires[10,11,12]. 2.…”