Size Effect on the Magnetoresistance of p-InSb

Abstract

The magnetoresistance of p‐Insb single crystal specimens with real surfaces is measured as a function of thickness, magnetic induction, temperature, and surface potential. Field effect and Hall coefficient are employed to determine the barrier height and the carrier concentrations during the investigations. The discrimination of the resistance change into ambipolar, scattering, inhomogeneity, and geometry effect is experimentally investigated by variation of sample thickness at different barrier height. The data are thoroughly discussed by the two‐conductor three‐band model taking into account the separation into electrons, light, and heavy holes.

Влияние примеси никеля на гальваномагнитные свойства и электронную структуру PbTe

“…Альтернативным объяснением отрицательного знака коэффициента Холла при низких температурах и n−p-инверсии знака коэффициента Холла при повышении температуры может быть влияние поверхностного инверсионного n-слоя на гальваномагнитные свойства сплавов. Дело в том, что зависимости R H (T ), подобные обнаруженным нами, и даже с двойной инверсией знака коэффициента Холла (с n−p-и затем p−n-инверсией), наблюдались ранее и в других узкощелевых полупроводниках -в p-InAs [34][35][36][37], p-InSb [38][39][40], p-Hg 1−x Cd x Te (x = 0.2) [41]. Эти эффекты объяснялись существованием на всех гранях образцов инверсионного поверхностного слоя n-типа проводимости, связанного, скорее всего, с адсорбцией примеси на поверхности, отделенного p−n-переходом от объема образца и шунтирующего объем при низких температурах.…”