Sinterização de nitreto de alumínio com compostos contendo cálcio.

Molisani, André Luiz

doi:10.11606/d.3.2004.tde-13122004-070911

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“…Existem alguns trabalhos mostrando que o uso de aditivos de sinterização com larga distribuição granulométrica em relação ao material base (matriz) geram poros grandes que atrasam de forma significativa a densificação [43][44][45][46]. Estes autores observaram que as partículas grandes de aditivo fundem durante o aquecimento até a temperatura de sinterização.…”

Section: Discussionunclassified

Efeito do teor de Y2O3 na sinterização do nitreto de alumínio

Molisani

Yoshimura

Goldenstein³

2006

Cerâmica

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O Y2O3 é o principal aditivo usado na sinterização de cerâmicas de AlN com elevada condutividade térmica, que são destinadas a produção de dispositivos eletrônicos de alta performance. Neste trabalho, investigou-se o efeito do teor de aditivo na sinterização de AlN com 0,5 a 4% em peso de Y2O3, correlacionado os resultados de densidade, análise microestrutural e a evolução das segundas fases em função da temperatura de sinterização. Os corpos compactados foram sinterizados em atmosfera de nitrogênio usando um forno com elemento resistivo de tungstênio entre 1650 e 2000 ºC por 1 h. Os resultados mostraram que a densificação das amostras de AlN com até 4% de Y2O3 ocorreu por sinterização no estado sólido até 1700 ºC. Acima desta temperatura, a densificação ocorreu por sinterização assistida por fase líquida. A fusão da fase YAG foi responsável pela formação de líquido ao redor de 1725 ºC nas amostras de AlN com até 4% de Y2O3. A quantidade de fase líquida aumentou em função do teor de aditivo nas amostras somente após a densificação total devido à fusão das partículas grandes refratárias de aluminatos de ítrio (YAP e YAM) em altas temperaturas. Assim, o aumento do teor de Y2O3 (0,5 a 4% em peso) não causou variações significativas no comportamento de densificação do AlN porque a quantidade de fase líquida foi próxima na faixa de temperatura em que ocorreu a densificação. A adição de apenas 0,5% em peso de Y2O3 aumentou significativamente a sinterabilidade do AlN. O uso de Y2O3 com larga distribuição granulométrica em relação a do AlN não causou a formação de poros grandes. Os resultados mostraram uma tendência de evaporação de compostos óxidos nas amostras de AlN com Y2O3 sinterizadas principalmente acima de 1850 ºC.

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Section: Discussionunclassified

Efeito do teor de Y2O3 na sinterização do nitreto de alumínio

Molisani

Yoshimura

Goldenstein³

2006

Cerâmica

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“…The green density was determined by geometric method and the density of the sintered bodies by Archimedean's method, using alcohol as immersion liquid. The volume fraction of pores was calculated from the ratio of measured density and theoretical density, which was calculated by rule of mixture assuming the densities of AlN, CaO, and Y 2 O 3 to be 3.261, 3.315, and 5.015 g.cm -3 , respectively 19 . Microstructural analysis was performed in a scanning electron microscope (SEM, Jeol, Japan, JSM 6300) coupled with energy dispersive spectroscopy (EDS, Noram, USA).…”

Section: Methodsmentioning

confidence: 99%

Porosity dependence of elastic constants in aluminum nitride ceramics

et al. 2007

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Aluminum nitride is a relatively new engineering ceramic and its mechanical properties have not been extensively studied. In this work, the effects of porosity (~0 to 38%) on sonic velocities, Poisson's ratio, and elastic moduli of partially sintered A1N, both pure and with additives, were investigated. The elastic constants, determined by the ultrasonic pulse-echo method, were significantly influenced by the porosity, but not by the different types of additives used (2 wt. (%) of CaCO3, CaO, and Y2O3). All elastic constants evaluated decreased with increasing porosity, but the rates of decrease were higher for elastic moduli compared do sonic velocities and Poisson's ratio. The results were analyzed in the light of stress concentration and loading bearing area models proposed in the literature

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“…Por isso, possuem elevado potencial tecnológico, como dispositivos optoeletrônicos e, portanto, figuram centralmente na pesquisa mundial em materiais de alto desempenho. De acordo com Molisani [2] e Knudsen [8], a grande maioria dos dispositivos eletrônicos recebe um encapsulamento polimérico devido ao baixo custo de produção. Os materiais cerâmicos são usados como material de encapsulamento quando dispositivos eletrônicos operam em ambientes suscetíveis ao ataque químico como, por exemplo, ambientes úmidos.…”

Section: Resultsunclassified

“…Os materiais cerâmicos são usados como material de encapsulamento quando dispositivos eletrônicos operam em ambientes suscetíveis ao ataque químico como, por exemplo, ambientes úmidos. Além disso, Molisani [2] complementa que os materiais cerâmicos apresentam condutividade térmica superior a dos materiais poliméricos, favorecendo o seu uso em dispositivos de alta eficiência que funcionam em alta frequência e/ou alta potência. Os materiais cerâmicos usados como substrato e/ou encapsulamento de dispositivos eletrônicos devem apresentar coeficientes de expansão térmica próximos ao do silício, que é o principal material usado na fabricação de chips.…”

Section: Resultsunclassified

“…A busca por miniaturização de dispositivos eletrônicos é tanta, que novos materiais e até mesmo novas arquiteturas são fundamentais para expandir pesquisas e o desenvolvimento de projetos inovadores. Há quatro grupos de materiais, entre eles os materiais cerâmicos, que possuem boas propriedades térmicas, mecânicas e elétricas [2]. Estes materiais resistem a altas temperaturas e a ambientes agressivos mais do que os metais e os polímeros [1].…”

Section: Introductionunclassified

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Elaboração De Um Banco De Dados De Materiais Semicondutores E Condutores

Prediger¹,

Rocha²

2017

Anais Do Enemet - Encontro Nacional De Estudantes De Engenharia Metalúrgica, De Materiais E De Minas

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ResumoEste trabalho teve como objetivo desenvolver um banco de dados com ênfase em materiais semicondutores e condutores para disponibilizar informações dos quatro principais grupos de materiais: metais, compósitos, cerâmicos e polímeros. Isto foi realizado através de uma seleção de materiais e definição de quais os mais adequados à área de semicondutores. Por intermédio de levantamentos bibliográficos em livros, periódicos e sites, foi possível compilar as características e as aplicações destes diferentes tipos de materiais. Assim, obteve-se um site que contém informações precisas e confiáveis e que está disponível àqueles que possuem interesse nesta área. Infere-se a partir do trabalho feito que o uso de materiais semicondutores faz-se cada vez mais necessário e crucial para satisfazer as exigências de equipamentos eletrônicos. Palavras-chave: Materiais; Semicondutores; Banco de dados. DEVELOPMENT OF A DATABASE OF SEMICONDUCTORS AND CONDUCTORS MATERIALS AbstractThis work aimed to develop a database with emphasis on semiconductor and conductor materials to provide information of the major groups of materials: metals, composites, ceramics and polymers. The work was carried out by using materials selection and definition of the most used materials into the semiconductor area. Analyzing bibliographic surveys as books, journals and websites, it was possible to compile the characteristics and applications of these different types of materials. So, the site obtained contains accurate and reliable information and this is available to those who have interest in this area. It can be observed from the work that the use of semiconductor materials is increasingly necessary and crucial to satisfy the requirements of electronics equipment.

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Sinterização de nitreto de alumínio com compostos contendo cálcio.

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Efeito do teor de Y2O3 na sinterização do nitreto de alumínio

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Porosity dependence of elastic constants in aluminum nitride ceramics

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