Simulation Monte Carlo de Réactions Chimiques dans le Volume d'un Réacteur PECVD lors de Déposition d'une Couche Mince a-C:H

Abstract

Ce travail présente une simulation par la méthode de Monte Carlo (SMC) des réactions chimiques qui se produisent dans le volume d'un réacteur PECVD lors de déposition d'une couche mince a-C: H élaboré à partir d'un mélange gazeux (CH 4 /H 2). En plus de CH 4 et H 2 , les molécules et les radicaux considérés dans l'étude sont CH 3 , CH 2 , CH, C 2 H 5 , C 2 H 6 et H. La SMC se base sur les collisions binaires. La SMC nous a permis d'obtenir les densités et les fractions molaires des particules ainsi que d'autres paramètres liés aux vitesses de réactions. Les résultats sont en bon accord avec d'autres travaux.

How to Use the Monte Carlo Simulation Technique? Application: A Study of the Gas Phase during Thin Film Deposition

“…In our previous works [20][21][22][23][24], we were interested in the study of the gas phase and the interaction of plasmas with the surface, for SiH 4 /H 2 and CH 4 /H 2 gas mixtures during PECVD processes. The used numerical simulation techniques were MCS and MDS.…”