Simulation approach for optimization of device structure and thickness of HIT solar cells to achieve ∼27% efficiency

Dwivedi, Neeraj; Kumar, Sushil; Bisht, Atul; Patel, Kamlesh; Sudhakar, S.

doi:10.1016/j.solener.2012.11.008

Cited by 85 publications

(34 citation statements)

References 9 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Order By: Relevance

“…Dwivedi et al (2012) optimized different structures of HIT cells through the thickness change of a-Si:H(n) and a-Si:H(i) front layers and c-Si wafer. The highest efficiency achieved in that study was 27.2 % for a cell with ITO/a-Si:H(n)/ a-Si:H(i)/c-Si(p)/a-Si:H(i)/ aSi:H(p)/metal structure [10]. Jian et al (2015) reached theoretic efficiency of 27.2 % using simulation of HIT solar cell with TCO/a-Si:H(n)/ a-Si:H(i)/ c-Si(p)/ aSi:H(p)/Ag structure by varying of thickness and doping of layers [11].…”

Section: Introduction the Heterojunction With Intrinsicmentioning

confidence: 86%

NUMERICAL SIMULATION OF THERMAL BEHAVIOR AND OPTIMIZATION OF a-Si/a-Si/C-Si/a-Si/A-Si HIT SOLAR CELL AT HIGH TEMPERATURES

Ganji

2017

Elektroteh. elektromeh.

View full text Add to dashboard Cite

Цель. Кремниевые гетероструктурные солнечные элементы, в частности гетеропереходы с ячейками внутреннего тонкого слоя (HIT), в последнее время рекомендуются для использования в качестве кремниевых элементов, поскольку они легко изготавливаются при низкой температуре обработки и имеют высокую оптическую и температурную стабильность, а также более высокий к.п.д., чем солнечные элементы на основе гомоперехода. В настоящей работе впервые предлагается относительно точная вычислительная модель для более точного расчета теплового поведения таких ячеек. В этой модели для всех слоев полупроводника рассматривается температурная зависимость многих параметров, таких как подвижность, тепловая скорость носителей, граница зоны, энергия Урбаха хвостов зоны, сродство электронов, относительная диэлектрическая проницаемость и эффективная плотность состояний в валентной зоне и в зоне проводимости. С использованием данной модели исследуется тепловое поведение HIT солнечных элементов в диапазоне 25-75 °C. В данном диапазоне температур исследовано влияние толщины различных слоев HIT ячейки на ее внешние параметры и в результате предложена оптимальная толщина слоев HIT солнечных элементов для использования в широком диапазоне температур. Библ. 20, табл. 4, рис. 5. Ключевые слова: гетеропереходы с ячейками внутреннего тонкого слоя, высокая температура, тепловое поведение.

show abstract

Section: Introduction the Heterojunction With Intrinsicmentioning

confidence: 86%

NUMERICAL SIMULATION OF THERMAL BEHAVIOR AND OPTIMIZATION OF a-Si/a-Si/C-Si/a-Si/A-Si HIT SOLAR CELL AT HIGH TEMPERATURES

Ganji

2017

Elektroteh. elektromeh.

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…The HIT solar cell structure for this simulation is p + -a-Si/i-aSi:H/c-Si/i-a-Si:H/n + -a-Si (Figure 1(b)). The parameters for the simulation are obtained from other publications [7][8][9][10] and listed in Table 1. The Si substrate used in this simulation was 170 m which is smaller than 190 m of bare Si wafer due to the thickness reduction by acid etching.…”

Section: Hit Solar Cell Fabricationmentioning

confidence: 99%

HIT Solar Cells with N-Type Low-Cost Metallurgical Si

Xing

Bian

Liu

et al. 2018

Advances in OptoElectronics

View full text Add to dashboard Cite

A conversion efficiency of 20.23% of heterojunction with intrinsic thin layer (HIT) solar cell on 156 mm × 156 mm metallurgical Si wafer has been obtained. Applying AFORS-HET software simulation, HIT solar cell with metallurgical Si was investigated with regard to impurity concentration, compensation level, and their impacts on cell performance. It is known that a small amount of impurity in metallurgical Si materials is not harmful to solar cell properties.

show abstract

“…A solar illumination of AM1.5 (power density 100 mW/cm 2 ) was used as a light source. Other parameters used in the simulations are shown in Table 1 [13,14]. The methods of achieving the exponential doping can be seen in our previous study [15].…”

Section: Structure Of Solar Cells and Simulation Detailsmentioning

confidence: 99%