Silicon shallow doping by erbium and oxygen recoils implantation

Feklistov, K. V.; Черков, А. Г.; Popov, V.

doi:10.1016/j.ssc.2016.05.016

Cited by 3 publications

(10 citation statements)

References 8 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Для приготовления образцов были использованы пластины Cz−Si(100) КДБ-10. В методе внедрения атомов отдачи [29,30]…”

Section: методика экспериментаunclassified

“…Распределение химических элементов Er и O в тонком приповерхностном слое Si, созданном атомами отдачи, исследовано с помощью EDS-анализа в поперечном сечении образцов (110). Это объясняет результат, полученный методом МСВИ в [29,30], что после отжига и снятия оксида лишь около половины атомов Er оставалось в приповерхностной области Si, поскольку остальная часть Er удалялась вместе с оксидом в растворе HF перед МСВИ измерениями.…”

Section: Eds-анализ перераспределения атомов Er и O при отжигеunclassified

“…В случае Er, приповерхностная локализация может позволить исследовать другие способы его возбуждения, например, горячими носителями в канале МДП транзистора или при последовательной перезарядке связанного с Er уровня в МДП конденсаторной структуре. Попытка создания мелких слоев Si с концентрацией Er, достигающей 5 • 10 20 см −3 , методом имплантации атомов отдачи при внедрении Ar + была продемонстрирована нами ранее в [29,30]. Однако в результате отжига образцов в среде N 2 и последующего снятия оксида только половина внедренного Er оставалась в Si, который при этом не проявлял оптической активности [29].…”

Section: Introductionunclassified

“…Предполагалось, что перенос Er в оксид во время отжига происходит по известному механизму сегрегации примеси на фронте рекристаллизации Si [31][32][33]. В [30] нами был предложен другой механизм, связанный с внутренним ростом толщины оксида за счет притока внедренных атомов отдачи O. Однако доказательств, однозначно свидетельствующих в пользу первого или второго механизма, на том этапе работ получено не было. В результате полученных в настоящей работе данных, основанных на использовании высокоразрешающей электронной микроскопии (ВРЭМ) и рентгеновской энергодисперсионной спектроскопии (EDS), позволяющей проведение химического анализа распределения примеси в слоях нанометрового масштаба, получены однозначные доказательства в пользу второго механизма.…”

Section: Introductionunclassified

See 3 more Smart Citations

Перераспределение атомов отдачи эрбия и кислорода и структура тонких приповерхностных слоев кремния, созданных высокодозной имплантацией аргона через поверхностные пленки Er и SiO-=SUB=-2-=/SUB=-

Феклистов¹,

Черков²,

Попов³

et al. 2018

Журнал Технической Физики

View full text Add to dashboard Cite

С использованием аналитической высокоразрешающей электронной микроскопии исследована структура Si и перераспределение aтомов отдачи Er и O в тонких (∼ 10 нм) приповерхностных слоях, внедренных с помощью имплантации Ar + с энергией 250−290 кэВ и дозой 1 • 10 16 см −2 через пленки соответственно Er и SiO 2 и последующего отжига. Установлено, что рекристаллизация Si срывается на расстоянии ∼ 20 нм от поверхности, где достигается критическое для срыва значение концентрации эрбия 5 • 10 19 см −3 при T = 950 • С. Это опровергает общепринятую модель переноса атомов Er фронтом рекристаллизации в SiO 2 на поверхности. Вместо этого показано, что перераспределение атомов отдачи O к исходному оксиду во время отжига при неподвижных атомах Er обеспечивает формирование поверхностно неоднородных фаз эрбия таким образом, что обогащенная кислородом фаза Er−Si−O оказывается сосредоточенной в оксиде, а обедненная фаза Er−Si остается в Si. Это объясняет частичную потерю внедренного Er после снятия оксида вместе с Er−Si−O фазой. Показано, что нетипичное для рекристаллизации (100)−Si образование большой плотности микродвойников (локально до 10 13 см −2) связано с образованием пузырей и кластеров Ar.

show abstract

Section: методика экспериментаunclassified

Section: Eds-анализ перераспределения атомов Er и O при отжигеunclassified

Section: Introductionunclassified

See 2 more Smart Citations

Перераспределение атомов отдачи эрбия и кислорода и структура тонких приповерхностных слоев кремния, созданных высокодозной имплантацией аргона через поверхностные пленки Er и SiO-=SUB=-2-=/SUB=-

Феклистов¹,

Черков²,

Попов³

et al. 2018

Журнал Технической Физики

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…During RTL synthesis behavioral RTL code was transformed into structural RTL code according to technological cell libraries. In result behavioral Verilog file was converted into logic level Verilog implementation [8][9][10][11].…”

Section: Asic Netlist Implementationmentioning

confidence: 99%

High speed video recording system on a chip for detonation jet engine testing

Samsonov

Samoilova

2018

MATEC Web Conf.

View full text Add to dashboard Cite

Abstract. This article describes system on a chip development for high speed video recording purposes. Current research was started due to difficulties in selection of FPGAs and CPUs which include wide bandwidth, high speed and high number of multipliers for real time signal analysis implementation. Current trend of high density silicon device integration will result soon in a hybrid sensor-controller-memory circuit packed in a single chip. This research was the first step in a series of experiments in manufacturing of hybrid devices. The current task is high level syntheses of high speed logic and CPU core in an FPGA. The work resulted in FPGA-based prototype implementation and examination.

show abstract

Redistribution of Erbium and Oxygen Recoil Atoms and the Structure of Silicon Thin Surface Layers Formed by High-Dose Argon Implantation through Er and SiO2 Surface Films

et al. 2018

View full text Add to dashboard Cite

Silicon shallow doping by erbium and oxygen recoils implantation

Cited by 3 publications

References 8 publications

High speed video recording system on a chip for detonation jet engine testing

Redistribution of Erbium and Oxygen Recoil Atoms and the Structure of Silicon Thin Surface Layers Formed by High-Dose Argon Implantation through Er and SiO2 Surface Films

Contact Info

Product

Resources

About