Silicon Photovoltaic Cells with Deep p–n-Junction

Бахадырханов, М. К.; Исамов, С. Б.; Kenzhaev, Z. T.; Melebaev, D.; Zikrillayev, Kh.; Ikhtiyarova, G. A.

doi:10.3103/s0003701x2001003x

Cited by 24 publications

(12 citation statements)

References 17 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…All other samples were vacuumdeposited with a thin layer of pure nickel with thickness of 1 µm and diffusion was performed at various temperatures (according to experiment goals). After nickel diffusion all samples were subject to additional thermal annealing at T ann = 750−800 • C for t = 30 min to activate the process of gettering [17,18] of non-controlled recombination impurities. After nickel diffusion and thermal annealing the samples were cooled on air.…”

Section: Technology and Methods Of Studymentioning

confidence: 99%

Effect of nickel on the lifetime of charge carriers in silicon solar cells

et al. 2022

View full text Add to dashboard Cite

It has been shown experimentally that nickel clusters on the surface of a silicon sample contain a large amount of oxygen and recombination impurities --- Cu, Fe, Cr, and so shows good gettering properties of clusters. The optimum temperature of nickel diffusion into silicon is determined as 800-850oC. Doping with impurity nickel atoms with the formation of clusters makes it possible to increase the lifetime of nonequilibrium charge carriers in the base of a solar cell by up to 2 times, while the formation of a nickel-enriched region in the face layer is more efficient. It is shown that the effect of additional doping with nickel weakly depends on the sequence of the processes of nickel diffusion and the creation of a working p-n-junction. Keywords: silicon solar cells, nickel diffusion, nonequilibrium charge carriers, gettering, p-n junction.

show abstract

Section: Technology and Methods Of Studymentioning

confidence: 99%

Effect of nickel on the lifetime of charge carriers in silicon solar cells

et al. 2022

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…На остальные образцы напыляли в вакууме тонкий слой чистого никеля толщиной 1 мкм и проводили диффузию при разных температурах (в соответствии с целями эксперимента). После диффузии никеля все образцы проходили дополнительный термический отжиг при T ann = 750−800 • C в течение t = 30 мин с целью активации процесса геттерирования [17,18] неконтролируемых рекомбинационных примесей. После диффузии никеля и термического отжига образцы охлаждались на воздухе.…”

Section: технология и метод исследованияunclassified

“…Также исследовалось влияние никеля на количество кислорода в кремнии. Нами на основе технологии, описанной в работе [18], были изготовлены образцы солнечных элементов, легированных никелем после формирования p−n-перехода на лицевой стороне. Концентрацию кислорода определяли методом инфракрасной спектрометрии, как после диффузии никеля (при…”

Section: геттерирующие свойства кластеров атомов никеляunclassified

Влияние Никеля На Время Жизни Носителей Заряда В Кремниевых Солнечных Элементах

Бахадырханов¹,

Кенжаев²,

Ковешников³

et al. 2022

Физика И Техника Полупроводников

View full text Add to dashboard Cite

It has been shown experimentally that nickel clusters on the surface of a silicon sample contain a large amount of oxygen and recombination impurities - Cu, Fe, Cr, which shows good gettering properties of clusters. The optimum temperature of nickel diffusion into silicon is determined - Т=800-850 ° С. Doping with impurity nickel atoms with the formation of clusters makes it possible to increase the lifetime of nonequilibrium charge carriers in the base of a solar cell by up to 2 times, while the formation of a nickel-enriched region in the face layer is more efficient. It is shown that the effect of additional doping with nickel weakly depends on the sequence of the processes of nickel diffusion and the creation of a working p–n-junction.

show abstract

“…После формирования p−nперехода, а также дополнительного термоотжига при T ann = 700−800 • C, характер распределения никеля мало меняется. Введенные атомы никеля легко формируют кластеры как в приповерхностной области, так и в объеме [1]. Эти кластеры действуют как геттерирующие центры [17,18] для различных неконтролируемых примесей (O, Cu, Fe, Au) и других дефектов различной природы.…”

Section: обсуждение результатовunclassified

“…В работах [1,2] было показано, что формирование обогащенного никелем слоя в приповерхностной области кремниевых фотоэлементов (ФЭ) приводит к улучшению их параметров. В этих работах p−n-переход был получен с методом диффузии фосфора в кремниевые пластины p-типа.…”

Section: Introductionunclassified

Геттерирующие Свойства Никеля В Кремниевых Фотоэлементах

Бахадырханов¹,

Кенжаев²,

Турекеев³

et al. 2021

Журнал Технической Физики

View full text Add to dashboard Cite

The effect of doping with nickel on the parameters of silicon photocells, in which the p – n junction was created by impurities of III (B, Ga) and V (P, Sb) groups, has been studied. It is shown that the positive effect of nickel on the photocell efficiency does not depend on the type of initial silicon and on the nature of impurities used to obtain the p – n junction, but is mainly determined by the gettering properties of the near-surface nickel-enriched layer

show abstract

Silicon Photovoltaic Cells with Deep p–n-Junction

Cited by 24 publications

References 17 publications

Effect of nickel on the lifetime of charge carriers in silicon solar cells

Effect of nickel on the lifetime of charge carriers in silicon solar cells

Влияние Никеля На Время Жизни Носителей Заряда В Кремниевых Солнечных Элементах

Геттерирующие Свойства Никеля В Кремниевых Фотоэлементах

Contact Info

Product

Resources

About