Silicon-germanium nanostructures with quantum dots: Formation mechanisms and electrical properties

Predicting and Understanding Order of Heteroepitaxial Quantum Dots

“…By performing a suitable linear analysis as done here, perhaps one can find an appropriate initial condition for such approximations. Note that D 2 has dimensions of [length] 4 , and the size of fluctuations in a discretization procedure changes with the discretization length scale. The spectral methods used here handle this problem fairly easily as one can coarse-grain a model by simply discarding fast oscillating noise components.…”

“…The non-local elastic part is found to cubic order in the film height fluctuation in h via a perturbation series. The stochastic initial conditions are sampled white noise with an initial atomic scale roughness, corresponding to D 2 = 0.0403 nm 4 . 27 The critical height for the 2D-to-3D-growth transition is H c ¼ 1:132 nm: Two initial average film heights are used to investigate the trend predicted in Fig.…”

“…[1][2][3][4][5][6][7][8][9][10][11][12][13][14] SAQDs are the result of a transition from 2D growth to 3D growth in strained epitaxial films such as Si x Ge 1Àx =Si and In x Ga 1Àx As/GaAs: This process is known as Stranski-Krastanow growth or VolmerWebber growth. 3,[15][16][17] In applications, order of SAQDs is a key factor.…”

Boundary Processes in Electrolyte — Silicon Interface Area During Self–organization of Mosaic Structure of 3d–islands of Porous Silicon Nanocrystallites at Long–term Anode Etching of P–si (100) in Electrolyte With an Internal Source of Current

“…рис. 2) происходит за счет энергетического выигрыша при уменьшении величины упругих деформаций поверх-ности 3D−островков в области их вершин [21]. Такая четырехгранная форма пирамидальных островков соответствует минимуму энергии их образования на поверхности (100) упругоанизотропного сложно-го кристалла Si кубической формы [8].…”

“…Когда влияние изотропной среды электролита становится существенным, это приводит к образова-нию квазигексагональной формы островков. Об этом свидетельствует экспериментальный факт пониже-ния поверхностной энергии при росте напряженной гетероэпитаксиальной пленки в контакте с жидкой фазой [22], что приводит к образованию островков НК микрометровых размеров [21].…”