Si1−Ge  (x≥0.2) crystal growth in the absence of a crucible

Wagner, Amalia; Cröll, A.; Гоник, М. А.; Hillebrecht, Harald; Binetti, S.; Donne, A. Le

doi:10.1016/j.jcrysgro.2013.11.065

Cited by 7 publications

(4 citation statements)

References 10 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…В качестве затравки использовали стержень, изготовленный из монокристаллического кристалла кремния, ори-ентированного в направлении <100>. Более детально метод, установка и ростовой эксперимент описаны в работах [12,20]. Внешне полученный слиток SiGe выглядит, как поликристалл (рис.…”

Section: выращивание и характеризация кристаллаunclassified

“…Состав полученного сплава и совершенство кристаллической структуры изучали методами ра-мановской спектроскопии (Ramanspectra) и фото-люминесценции (ФЛ), методика измерений которой и полученные результаты детально проанализиро-ваны в работе [20]. Содержание германия по образцу измеряли с помощью рентгеновского микроанализа-тора (EDX) как в определенных точках кристалла, так и в режиме линейного сканирования.…”

Section: выращивание и характеризация кристаллаunclassified

“…Состав выращенного модифицированным ме-тодом плавающей зоны кристалла SiGe [12] и со-вершенство его структуры детально исследованы в работе [20].…”

Section: Introductionunclassified

See 2 more Smart Citations

Ge Distribution in Si0.9Ge0.1 Alloy Ingot Grown from Thin Melt Layer

Гоник¹,

Cröll

Wagner

2014

Izv. vysš. učebn. zaved., Mater. èlektron. teh.

View full text Add to dashboard Cite

Экспериментально и теоретически изучена возможность получения одно-родного по длине и сечению монокри-сталлического сплава SiGe, обогащен-ного со стороны кремния. Содержание второй компоненты в кристалле диа-метром 15 мм и длиной 40 мм, выра-щенном модифицированным методом плавающей зоны из шихты составом 79,8 % (ат.) Si и 20 % (ат.) Ge и с до-бавками 0,2 % (ат.) бора, исследовано с помощью метода рентгеновского микроанализа как в отдельных точках образца, так и в режиме линейного сканирования вдоль оси кристалла и поперек. Установлено, что продольное изменение концентрации германия хорошо описывается аналитически уравнением, выведенным ранее для условий роста из тонкого слоя распла-ва монокристалла Ge, легированного примесью Sb или Ga, в присутствии погруженного в расплав нагревателя. Для более точного описания экспери-ментальных данных был проведен учет изменения толщины слоя расплава между растущим кристаллом и дном погруженного нагревателя по мере кристаллизации. Показано, что по-перечное распределение второй ком-поненты, которое не превышало 5 % по диаметру, может быть существенно улучшено за счет уменьшения кривиз-ны фазовой границы в процессе роста.Ключевые слова: установка и вы-ращивание кристаллов модифициро-ванным методом вертикальной зонной плавки, погруженный в расплав нагре-ватель, кремний, сплав с германием, рентгеновский микроанализ, однород-ность кристалла.

show abstract

Section: выращивание и характеризация кристаллаunclassified

See 1 more Smart Citation

Ge Distribution in Si0.9Ge0.1 Alloy Ingot Grown from Thin Melt Layer

Гоник¹,

Cröll

Wagner

2014

Izv. vysš. učebn. zaved., Mater. èlektron. teh.

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…Silicon–germanium crystals are promising materials for post-silicon high-mobility devices as well as infrared optical and thermoelectric applications. Many bulk SiGe crystal growth experiments and measurements of physical properties have been conducted on the ground (as briefly reviewed in refs and ). Recently, SiGe crystal growth by the Bridgman method with magnetic field and accelerated crucible rotation techniques has produced a partially flat growth interface and suppressed radial segregation .…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Study of SiGe Crystal Growth Interface Processed in Microgravity

Arai

Kinoshita

Tsukada

et al. 2018

Crystal Growth & Design

View full text Add to dashboard Cite

A Si 1−x Ge x (x ∼ 0.5) crystal measuring 10 mm in diameter was grown by the traveling liquidus zone method using the Gradient Heating Furnace aboard the International Space Station. We quantitatively investigated the composition and shape of the crystal/melt interface during growth by analyzing the grown crystal. The growth interface shapes were obtained by tracing the striations that varied as a result of modulation of the interface near the Si seed to a smooth convex shape as the SiGe crystal growth proceeded. We also successfully measured the Ge concentrations on the interface using an electron-probe microanalyzer. Several growth interfaces showed a highly uniform Ge composition within mole fraction ±0.0005. Detailed measurements of the shapes and the Ge concentrations on those interfaces revealed that millimeter-scale Ge concentration gradient fluctuations existed for more than 16 h in a nonsteady and unsaturated SiGe melt in front of a crystal growth interface grown under microgravity conditions.

show abstract