Semipolar AlN and GaN on Si(100): HVPE technology and layer properties

Semipolar GaN(10–11) Epitaxial Layer Prepared on Nano‐Patterned SiC/Si(100) Template

“…Due to anisotropic etching rate for different crystallographic directions the Si(111) plane can be exposed and the GaN(10–11) layer can be grown afterwards. Lately it was proposed to use preliminary deposited intermediate SiC layer for growing the semipolar GaN(20–23) layers on misoriented Si(100) substrates by both MOCVD and HVPE …”

Полуполярные GaN-слои на наноструктурированной Si(100)-подложке

“…В настоящее время предпринимаются попытки синтезировать полуполярный GaN в основном на подложках из сапфира [1], SiC [2] и кремния [3,4]. Синтез полуполярного GaN осуществляется как на подложках Si(11h) (где h = 2−7) [1,5], так и на разориентированных подложках Si(100) [6,7], а также с использованием буферных слоев 3C-SiC [8,9]. В работах [10][11][12] для синтеза полупо-…”

Рост объемных эпитаксиальных пленок AlN полуполярной ориентации на подложках Si (001) и гибридных подложках SiC/Si (001)

“…Ранее в [14,15] уже была показана возможность осаждения эпитаксиальных полуполярных слоев AlN на гибридные подложки SiC/Si (100). В настоящей работе в отличие от исследований [14,15] Таким образом, нам удалось обнаружить принципиальное различие в процессах роста на подложке Si и подложке SiC/Si.…”

“…Ранее в [14,15] уже была показана возможность осаждения эпитаксиальных полуполярных слоев AlN на гибридные подложки SiC/Si (100). В настоящей работе в отличие от исследований [14,15] Таким образом, нам удалось обнаружить принципиальное различие в процессах роста на подложке Si и подложке SiC/Si. Это различие, связанное и с химической природой слоев, и с разницей параметров их решеток, приводит к существованию критического значения толщины полуполярного слоя AlN на Si, которое примерно равно 7.5 µm, различию в значениях знака упругих напряжений в слоях AlN, а также к тому, что при росте на Si слой AlN растянут, а при росте на SiC/Si слой сжат.…”