Selective reflection technique as a probe to monitor the growth of metallic thin film on dielectric surfaces

Abstract

Controlling thin film formation is technologically challenging. The knowledge of physical properties of the film and of the atoms in the surface vicinity can help improve control over the film growth. We investigate the use of the well-established selective reflection technique to probe the thin film during its growth, simultaneously monitoring the film thickness, the atom-surface van der Waals interaction and the vapor properties in the surface vicinity.

Influencia De Las Colisiones Atómicas en Las Resonancias Sub-Doppler De La Espectroscopia De Reflexión Selectiva en La Línea D2 Del Cesio

“…Ese hecho, asociado a su alcance espacial intrínseco en el medio gaseoso permite que la espectroscopia de RS sea apropiada para el estudio de la interacciónátomo-superficie: la contribución a la reflexión es esencialmente debida a losátomos desplazándose a menos de una longitud de onda de distancia de la superficie. Entre las aplicaciones de la espectroscopia de RS están [1]: la determinación de ensanche homogéneo, en particular el auto-ensanche colisional y desplazamiento de líneas de resonancia atómicas; estudio de interacciones de Van der Waals deátomos con superficies dieléctricas; estudio de procesos coherentes y magneto-ópticos; estabilización de la frecuencia de un diodo laser a una línea de resonancia atómica, entre otras aplicaciones.…”