Selective etching reveals the migration and evolution of dislocations in annealed Cd1-xZnxTe

Korovyanko, Oleksandra; Shcherbak, L.; Nakonechnyi, I.; Zakharuk, Z. I.; Fochuk, P.M.; Bolotnikov, A. E.; James, R. B.

doi:10.1016/j.jcrysgro.2017.05.017

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“…En ninguna muestra se detectó la señal correspondiente a la fusión de Te o sea que la concentración de precipitados e inclusiones resultó inferior al mínimo nivel (0,6% V/V) posible de medición [12] a partir del cual se vería disminuida la transmitancia óptica del CZT en el infrarrojo [10,11]. Cuando los precipitados de Te tienen un gran tamaño, la transmisión IR es inferior al 60% [13]. Los precipitados e inclusiones de Te introducen tensiones y distorsionan la estructura cristalina [3], lo que reduce la transmisión óptica de los cristales y degrada las propiedades eléctricas [13].…”

Section: Difusividad Térmicaunclassified

“…Cuando los precipitados de Te tienen un gran tamaño, la transmisión IR es inferior al 60% [13]. Los precipitados e inclusiones de Te introducen tensiones y distorsionan la estructura cristalina [3], lo que reduce la transmisión óptica de los cristales y degrada las propiedades eléctricas [13]. En nuestras muestras se midió la transmisión IR por espectrometría infrarroja de transformada de Fourier (FTIR) [10].…”

Section: Difusividad Térmicaunclassified

“…En cambio, las muestras de CdTe puro presentaron solamente un valor del 52 % para las crecidas a menor velocidad y entre el 48 % y 50 % para las crecidas a mayor velocidad [10]. La calidad cristalina del CdTe puro y del aleado con Zn se podría mejorar con un tratamiento de recocido [13] luego del crecimiento, dado que permitiría la disminución de las inclusiones y de precipitados de Te. Sin embargo, la propuesta más interesante sería la de un sobrecalentamiento de 100 K sobre el punto de fusión en el caso del CdTe [3], ya que el recocido podría causar la porosidad de este material.…”

Section: Difusividad Térmicaunclassified

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Propiedades físicas y cristalinas del Cd1-xZnxTe (0 ≤ x ≤ 1)

Martínez¹,

Aguirre

́Elía³

et al. 2018

Matéria (Rio J.)

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RESUMENEl Cd 1-x Zn x Te (0 ≤ x ≤ 1) y el ZnTe son semiconductores de la familia II-VI, que se usan en forma monocristalina porque así poseen mejores propiedades estructurales y eléctricas. El CZT y el ZnTe deben poseer alta calidad cristalina y eléctrica para ser usados, el primero en detectores de rayos X y γ, y como sustratos ordenadores de películas epitaxiales aptas para la detección de la radiación IR y el segundo para la fabricación de diodos láser y emisores de luz de alta intensidad, ambos casos en el verde.En este trabajo el CZT se sintetizó por el método de Bridgman, bajo un gradiente de temperatura de 10ºC/cm a velocidades de 1,66 mm/h y 3,22 mm/h para diferentes concentraciones de Zn. Por otro lado, el ZnTe se sintetizó por transporte físico en fase vapor bajo un gradiente de temperatura de 6ºC/cm a una velocidad de 6mm/día.Por medio de revelado químico y microscopía electrónica de transmisión convencional TEM y de alta resolución (HRTEM) se estudió la calidad cristalina de ambos materiales. Se observó que los lingotes de CZT tenían una densidad de dislocaciones promedio similar en todos los lingotes crecidos en ambas velocidades y para todas las concentraciones mientras que el ZnTe mostró una menor densidad de dislocaciones. Las micrografías de TEM mostraron en todos estos materiales un orden estructural importante. Estas características indicaron que la calidad cristalina del CZT y del ZnTe era adecuada para fabricar dispositivos optoelectrónicos.También se midió la Conductividad Eléctrica, Difusividad Térmica, Calor Específico y Coeficiente Seebeck en función de la temperatura en estos materiales. Se analizó la influencia de las propiedades estructurales en sus propiedades físicas con el objeto de determinar la relación con los defectos cristalinos observados.Palabras clave: semiconductores monocristalinos II-VI, revelado químico, propiedades físicas, HRTEM, LRTEM. ABSTRACTCd 1-x Zn x Te (0 ≤ x ≤ 1) and ZnTe are II-VI semiconductors, which are used in single crystalline structure to improve their crystalline and electrical properties. The CZT and ZnTe must possess high crystalline and electrical quality to be used, the first in x or γ-ray detectors, and as substrates for suitable epitaxial films for detecting IR radiation and the second for the manufacture of laser diodes and high intensity light emitters, both cases in the green wavelengths.

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Section: Difusividad Térmicaunclassified

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Propiedades físicas y cristalinas del Cd1-xZnxTe (0 ≤ x ≤ 1)

Martínez¹,

Aguirre

́Elía³

et al. 2018

Matéria (Rio J.)

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“…The study of the surfaces is supported by Raman spectroscopy and ellipsometry. Previous scanning probe microscopy (SPM) studies proved to be informative for characterization of CdTe surface behavior after various surface treatments, including selective etching after annealing [8], and sputter-anneal processing [9]. We applied semi-contact mode and phase contrast imaging for characterization of oxidized surfaces.…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Characterization of the native oxide on CdTe surfaces

Sobola

Kaspar

Nebojsa

et al. 2019

Materials Science-Poland

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This study focuses on the description of oxidation of CdTe monocrystal surfaces after selective chemical etching. Measurements of surface morphology of the oxides occurring in short time are valuable for deeper understanding of the material degradation and fabrication of reliable devices with enhanced performance. The samples with (1 1 1) orientation were selectively etched and cleaned of oxide. Exposure of the oxide-free surfaces of CdTe to air at normal atmospheric conditions over 24 hours leads to an appearance of characteristic surface features. The oxidized surfaces were investigated by scanning electron microscopy, scanning probe microscopy, Raman spectroscopy and ellipsometry. The results indicate clear differences in the oxidation of Cd-terminated and Te-terminated surfaces.

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