Rückseitenmetallisierung Wafer‐basierter Si‐Solarzellen mittels EB‐PVD

Abstract

Mit dem Elektronenstrahlverdampfen ist eine neuartige Beschichtungstechnologie für die Rückseitenmetallisierung von Wafer‐basierten Si‐Solarzellen ins Blickfeld gekommen. Die Motivation ergibt sich aus dem Kostendruck im Wettbewerb mit der Dünnschicht‐Photovoltaik und dem Kosteneinsparpotenzial durch Anwendung des Elektronenstrahlverdampfens. Der Beitrag stellt ein hochproduktives Anlagenkonzept näher vor und geht darauf ein, unter welchen Gesichtspunkten eine Anlagenkonzeptanpassung an die jeweils besonderen Solarzellen‐typischen Merkmale erforderlich ist. Außerdem werden verschiedene PVD‐Technologien hinsichtlich ihres Einsatzpotenzials für die Wafer‐Rückseitenmetallisierung miteinander verglichen. Herausforderungen bei der Einführung der Elektronenstrahl‐Verdampfungstechnologie und besondere Chancen, die ihr Einsatz eröffnet, werden betrachtet.

Elektronenstrahlverdampfen von Silizium

“…Die Flexibilität und Skalierbarkeit dieser Beschichtungstechnologie ermöglicht die homogene Beschichtung auf großen Flächen sowohl im in-line als auch im Rolle-zu-Rolle Verfahren -und dies mit dynamischen Depositionsraten im Bereich von Mikrometern pro Minute [1]. Die Flexibilität und Skalierbarkeit dieser Beschichtungstechnologie ermöglicht die homogene Beschichtung auf großen Flächen sowohl im in-line als auch im Rolle-zu-Rolle Verfahren -und dies mit dynamischen Depositionsraten im Bereich von Mikrometern pro Minute [1].…”