2022
DOI: 10.26583/bit.2022.4.09
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Review of laser scanning methods for microelectronic semiconductor structures investigation

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...

Citation Types

0
0
0

Year Published

2023
2023
2023
2023

Publication Types

Select...
1

Relationship

0
1

Authors

Journals

citations
Cited by 1 publication
(2 citation statements)
references
References 0 publications
0
0
0
Order By: Relevance
“…Keywords: machine vision, laser scanning microscopy, topology correction, microelectronics, laser scribing, automation. Машинное зрение и лазерная сканирующая микроскопия (ЛСМ) [1][2][3] находят применение в определении и контроле доверенности изделий электронной компонентной базы (ЭКБ). Доверенность ЭКБ подразумевает соответствие изделия требованиям к функционально-техническим, эксплуатационным характеристикам и предъявляемым требованиям по технологической, функциональной и информационной безопасности.…”
unclassified
See 1 more Smart Citation
“…Keywords: machine vision, laser scanning microscopy, topology correction, microelectronics, laser scribing, automation. Машинное зрение и лазерная сканирующая микроскопия (ЛСМ) [1][2][3] находят применение в определении и контроле доверенности изделий электронной компонентной базы (ЭКБ). Доверенность ЭКБ подразумевает соответствие изделия требованиям к функционально-техническим, эксплуатационным характеристикам и предъявляемым требованиям по технологической, функциональной и информационной безопасности.…”
unclassified
“…В задачах обеспечения и контроля доверенности применяются сфокусированные лазеры для диагностики и анализа отказов, получения «карты фотооткликов» кристаллов, для идентификации подлинности интегральных схем, а также для обнаружения недекларированных топологических коррекций и включений (например, методами OBIC, LIVA и др. [1,[4][5][6]). ЛСМ также применяется при испытаниях на стойкость изделий ЭКБ к одиночным радиационным эффектам при имитации попадания иона с помощью сфокусированного импульса на поверхности полупроводникового кристалла [7,8].…”
unclassified