Resistivity superconducting transition in single-crystalline Cd0.95Ni0.05Sb system consisting of non-superconducting CdSb and NiSb phases

Effect of orientation of NiSb needle inclusions on temperature dependence of resistance in Cd-=SUB=-0.95-=/SUB=-Ni-=SUB=-0.05-=/SUB=-Sb crystals

“…However, the superconductivity of Cd x Sb y is insufficient for the transition of the entire sample at the measured temperatures to the superconducting phase with zero resistance. This differs from the results of the work [14], where the transition to the superconducting state with zero resistance of the CdSb : Ni sample was found at a temperature of T C0 ≈ 2.3 K.…”

“…When the equilibrium solubility limit of Ni in CdSb is exceeded, magnetic nano-and microsized Ni−Sb inclusions with a high aspect ratio [12] are formed. The band gap under normal conditions in similar single-crystal structures CdSb : Ni (0.35 eV) turns out to be lower than in undoped CdSb, and when external pressure is applied, it decreases to 0.05 eV (at 5.3 GPa) [13], and when the temperature drops to 3.5 K, such systems can become superconducting [14]. It was previously shown that in Cd 43 Sb 57 crystals synthesized at high pressures, a transition to the superconducting state was observed at approximately 4.2 K, which shifted towards low temperatures during thermal cycling up to disappearance, due to amorphization of the high-temperature metastable high-pressure crystalline phase [15].…”

“…It was previously shown that in Cd 43 Sb 57 crystals synthesized at high pressures, a transition to the superconducting state was observed at approximately 4.2 K, which shifted towards low temperatures during thermal cycling up to disappearance, due to amorphization of the high-temperature metastable high-pressure crystalline phase [15]. And in CdSb crystals with disordered NiSb inclusions, a characteristic feature of the temperature behavior of electrical resistivity was the appearance of a metal-insulator transition and the presence of a hopping conduction region that preceded the superconducting transition [14]. With this in mind, it is of interest to study the electrical properties at low temperatures in the CdSb−NiSb composite system.…”

Влияние ориентации игольчатых включений NiSb на температурную зависимость сопротивления в монокристаллах Cd-=SUB=-0.95-=/SUB=-Ni-=SUB=-0.05-=/SUB=-Sb

“…Ширина запрещенной зоны при нормальных условиях в подобных монокристаллических структурах CdSb : Ni (0.35 eV) оказывается ниже, чем в нелегированном CdSb, и при приложении внешнего давления уменьшается до 0.05 eV (при 5.3 GPa) [13], а при снижении температуры до 3.5 K подобные системы могут становиться сверхпроводящими [14]. Ранее было показано, что в кристаллах Cd 43 Sb 57 , синтезированных при высоких давлениях, наблюдался переход в сверхпроводящее состояние около 4.2 K, который смещался в сторону низких температур при термоциклировании вплоть до исчезновения, из-за аморфизации высокотемпературной метастабильной кристаллической фазы высокого давления [15].…”

“…Ранее было показано, что в кристаллах Cd 43 Sb 57 , синтезированных при высоких давлениях, наблюдался переход в сверхпроводящее состояние около 4.2 K, который смещался в сторону низких температур при термоциклировании вплоть до исчезновения, из-за аморфизации высокотемпературной метастабильной кристаллической фазы высокого давления [15]. А в кристаллах CdSb с разупорядоченными включениями NiSb характерной особенностью температурного поведения удельного электрического сопротивления было появление перехода металл-диэлектрик и наличие области прыжковой проводимости, которая предшествовала сверхпроводящему переходу [14]. С учетом этого представляет интерес исследование электрических свойств при низких температурах в композитной системе CdSb−NiSb.…”