Relaxation processes analysis in heterotransistors with systems of quantum wells and quantum dots

Relaxation Processes in Submicron Heterotransistors with a System of Quantum Wells

“…Інерційність цього процесу визначається концентраційним часом релаксації τ п , який знаходиться, як і час релаксації імпульсу τ р , усереднюванням швидкості міждолинного розсіяння. У роботі [12] на основі аналізу результатів розрахунку часів релаксації, поле-швидкісних і енергетичних характеристик для основних механізмів розсіяння у напівпровідниках типа А 3 В 5 показано переважний вплив на розігрів електронів полярного оптичного і міждолинного розсіяння. Окремо у даному розділі досліджується вплив розсіяння на сплавному потенціалі.…”

Электронный Транспорт В Гетеротранзисторах Квантовой Ямой

“…The inertia of this process is determined by the concentration relaxation time  п which is, as well as the relaxation time of the pulse  р by averaging the inter-valley scattering rate. In [12], based on the analysis of the results of calculation of relaxation times, field-velocity and energy characteristics for the main scattering mechanisms in semiconductors of type А 3 В 5 , the predominant influence on the heating of polar optical and intervalley scattering electrons is shown. The influence of scattering on the alloying potential was investigated separately in these calculations.…”

Modeling field structures for biosensor with systems of quantum dots

“…Застосування вбудованих у приповерхневий провідний шар польової структури квантових точок пов'язано, у першу чергу, з їх впливом на фононні механізми розсіювання носіїв заряду. У роботах [7][8][9] проведено аналіз релаксаційних процесів субмікронного (довжина затвору 0,2 мкм) GaAs-AlGaAs гетероструктурного транзистора з двома квантовими ямами і двома системами вбудованих квантових точок (КТ). На відміну від звичайної структури гетеротранзистора, моделювання процесів переносу носіїв заряду такої структури з урахуванням найбільш суттєвих механізмів розсіювання (міждолинного, фононного оптичного і акустичного, розсіювання на домішках), урахуванням квантування енергетичних рівнів у КТ і емісії електронів з квантових точок свідчить про збільшення середньої дрейфової швидкості електронів не менш ніж 1,5 рази.…”