Recrystallization of C.V.D. Grown Polycrystalline Silicon

Schins, W. J. H.; Bezemer, Jeff; Ouwens, C. Daey; Radelaar, S.

doi:10.1007/978-94-009-9840-7_12

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“…3.1.1.1 Dépôt de silicium sur un substrat convenable. -Il est bien connu qu'en déposant du silicium à partir d'une phase gazeuse (par exemple SiH4 ou SiHCI3) sur un substrat chauffé convenablement, on obtient des polycristaux de faibles dimensions sans orientation préférentielle (technique dite CVD) [114][115][116][117][118][119]. En choisissant correctement la nature du substrat, le film de silicium se détachera de son support au moment du refroidissement («Thermal Expansion Shear Separation Technique ») par suite des coefficients de dilatation différents.…”

Section: Elaboration De Silicium -Essentiellementunclassified

Emploi de lasers dans la technologie des photopiles

Müller¹,

Siffert²

1980

Rev. Phys. Appl. (Paris)

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Dans cet article on passe en revue les différentes applications des lasers de puissance continus ou impulsionnels dans la technologie des cellules solaires à base de silicium. On considère tout d'abord les différents modèles développés pour calculer les effets de ces flux lumineux intenses sur le silicium ; puis, on analyse les possibilités d'emploi de ces dispositifs pour préparer des films autosupportants ou des couches sur substrat. Finalement, trois méthodes de réalisation de la jonction sont décrites : activation de dopants diffusés, implantation ionique conventionnelle ou simplifiée et dépôt de films en surface

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