Real-space imaging of nucleation and size induced amorphization in PdSi nanoparticles

Liquid-like behaviours of metallic glassy nanoparticles at room temperature

“…To further study the dynamic difference between the coalescence process of a-NPs and c-NPs at the same time, we prepared the thin film with both amorphous and crystalline PdSi NPs. When the diameter of the NPs is larger than 2.5 nm, the crystallization induced by irradiation would occur 45 . We thus applied the atomic resolution Cs-STEM to distinguish three different coalescence processes of a-NP, c-NP and amorphous crystalline NP (a-c-NP) pairs, and studied the crystallization influence on the NPs dynamics.…”

Accounting of features of changing of material properties in technology of silicon nanostructures

“…First of all, it concerns the state of ordering of atoms, which in extreme cases can be crystalline or amorphous. However, as shown in [16], the size changes near the threshold level does not affect the structure.…”

“…Авторами работы [16] зарегистрирован спонтанный фазовый переход наноразмерных частиц PdSi из кристаллического состояния в аморфное, вызванный только уменьшением формы наночастицы без приложения каких-либо внешних воздействии (рис.2). Такое поведение авторы работы объясняют с помощью классических представлений -из условия минима лизации свободной энергии Гиббса, которую они представляют как суперпозицию свободной энергии поверхности (возрастающей с ростом размера наноча с т и ц ы) и с в о б од ной энерг и и о б ъ е м ног о материала (уменьшающейся с ростом размера наночастицы).…”

“…Прежде всего, это касается состояния упорядоченности атомов, которое в предельных случаях может быть кристаллическим либо аморфным. Однако, как показано в [16], само по себе изменение размера вблизи величины порога не влияет на структуру. experimentally observed and previously described phenomena.…”

“…The authors of [16] have reported the spontaneous phase transition by nanoscale particles of PdSi from crystalline to amorphous states caused by only a decrease in the form of nanoparticle without application of any external stress (Fig.2). The authors explain such behavior with the help of classical ideas -from the condition of minimization of the Gibbs free energy, which they have represented as a superposition of the free energy of the surface (increasing with increasing size of nanoparticles) с прохож дением компонентов пары Френкеля через границу раздела, и ее влияние на радиационное накопление дефектов можно также связывать с опубликованными результатами для монокристаллов [9], где было показано, что поля упругих напряжений, определяемые присутствием на поверхности кремния диэлектрических пленок SiO 2 либо Si 3 N 4 , в силу противоположных воздействий (растяжение, сжатие) могут управлять разделением дефектов, рождающихся при радиационном облучении, в частности, при ионной имплантации [24].…”